国立研究開発法人物質・材料研究機構（NIMS）とIBMは、NIMSが蓄積してきた材料データおよび研究基盤と、IBMのAI・量子コンピューティング技術を組み合わせ、材料科学分野におけるAI活用基盤の構築を目指す協業に向けた覚書（本MOU）を締結しました。本MOUは、材料研究に関する将来的な技術検討や共同研究開発について、両者が長期的な観点から議論を進めることを意図するものです。 研究詳細この研究...

NIMS、東北大学、東京大学などの共同研究チームは、リチウムイオン電池用正極材料が微生物と自発的に集合し、電源を一切用いずにリチウムイオンを選択的に回収できる新しい原理を発見しました。微生物がマイクロサイズの電源の役割を担い、海水のような低濃度条件でも数時間以内に95%以上のリチウム回収が可能で、従来の技術よりも大規模化や環境負荷低減が期待されます。この研究成果は、6月29日にNature Communications誌にて掲載されます。 研究詳細...

NIMS（物質・材料研究機構）は、NIMS Award 2026の受賞者を、次世代蓄電池として世界的な研究開発が加速する「全固体電池」の分野で飛躍的なイノベーションをもたらした、菅野 了次 氏（東京科学大学）および 辰巳砂 昌弘 氏（大阪公立大学）の2名に決定しました。 菅野 了次 氏および 辰巳砂 昌弘 氏は、硫化物系固体電解質の創製とイオン伝導機構の解明を通じて、高性能な全固体電池実現への道を切り拓きました。菅野氏は高イオン伝導性を示す結晶系固体電解質、辰巳砂氏は非晶質系固体電解質という異なるアプローチでの開発を先導し、両氏の研究は全固体電池研究の世界...

NIMSは、安価なシリコン（Si）ウェハー上への縦型窒化ガリウム（GaN）デバイスの実現に不可欠な、極めて低抵抗かつ優れた熱安定性をもつGaNエピタキシャル成膜技術の開発に成功しました。この新技術「アモルファスライク中間層（AL-IL）」は、Siと窒素（N）から成る極薄膜によって、SiとGaNの格子不整合を緩和するとともに、基板とGaN膜の間で縦方向に電流を流すことを可能にします。本成果は、シリコンウェハー上での縦型GaNデバイス作製に向けた基盤技術であり、将来的には高効率パワーデバイスやマイクロLEDデバイスの低コスト化に貢献することが期待されます。この研究成果は、5月29日にAdvance...

国立研究開発法人物質・材料研究機構（茨城県つくば市　理事長　宝野 和博）および国立大学法人京都大学（京都府京都市　総長　湊 長博）は、物質・材料科学分野における世界最先端の研究成果を活用し、研究開発・人材育成における相互協力について具体的な連携・協力を実施することで、我が国の学術および科学技術の振興と社会の発展に重要な役割を果たすべく、令和8（2026）年6月4日に協定を締結いたします。 研究詳細...

NIMS（物質・材料研究機構）は、高圧合成で作られた硬い無機酸化物Ba4Ru3O12を加熱すると、体積が約4.4％増加し、その膨張が冷却後も元に戻らない熱応答現象を発見しました。通常、このような大きな体積変化は、結晶構造の大きな変化や化学反応を伴い、材料の性質を変化させます。しかし本研究では、結晶の基本骨格、すなわち結晶構造の対称性と化学組成を保ったまま、結晶内部の原子配置が変わることで、「戻らない巨大膨張」が起こることを明らかにしました。本成果は、酸化物材料における新しい熱応答メカニズムを示すものであり、高温環境で使われるセラ...

国立研究開発法人物質・材料研究機構（茨城県つくば市、理事長：宝野和博、以下「NIMS」）は、NIMSが保有する中国特許（特許番号：200580005112.5、発明の名称「発光素子及び照明器具」[1]）に関し、江蘇博睿光電股份有限公司（旧称：江蘇博睿光電有限公司（以下「Bree社」））による無効審判請求及びこれに続く一連の行政訴訟について、最終的に当該特許の全請求項の有効性が維持される結果となったことをお知らせいたします。 研究詳細...

NIMSは、一つの固体表面上で、液体が「付着する状態」と「弾かれる状態」が同時に存在する状態、つまり濡れ方が二状態に分岐する現象を発見しました。これは、平坦面では「どの液体をどの固体に接触させるかで濡れ方は一つに決まる」という、200年以上信じられてきた界面化学の常識を覆す発見です。さらに、この現象を引き起こすための普遍的な表面設計原理も明らかにしました。本成果は、4月2日にAdvanced Materials Interfaces誌に掲載されました。 研究詳細...

NIMSは、人工知能（AI）を活用した熱電発電デバイス設計用ニューラルネットワーク「TEGNet」（Thermoelectric Generator Neural Network）を開発しました。従来のシミュレーション手法では膨大な計算時間を要していた発電デバイス性能の予測を、99％以上の高精度を保ったまま従来比約1万分の1の時間で実行できます。本技術により、材料開発からデバイス設計までの最適化が大幅に加速し、廃熱回収やIoTセンサ用独立電源などへの応用が期待されます。本成果はアメリカ東部時間4月15日11時（日本時間16日0時）にNature誌に掲載されます。 研究詳細...

酸化アルミニウム（アルミナ）を、室温・超高圧でミリメートル級の高密度なガラス状材料として形成硬さ・熱特性・電気特性を併せ持つ新非晶質材料として、電子・機械分野での材料選択肢拡大に期待高圧による緻密化を通じて性質を調整できる可能性を示し、構造制御による材料設計指針を提案 研究詳細この研究の詳細ページ ...

MOCVD法を用いて、サファイア基板上のMoS2結晶粒が自己整合して単結晶化する革新的な成長メカニズムを発見。独自のプリカーサ選択により、成膜反応が単層厚さで自動停止する新たな現象を見いだし、2インチサイズのウエハー全体にわたって均一で再現性の高い単層MoS2膜を実現。2つの成膜メカニズムの相乗効果により高い電子移動度を達成。量産化を見据えたウエハースケールで高品質な単層MoS2単結晶膜の形成という産業界からの要請に応えるとともに、次世代サブ1nmノード論理トランジスタ実現に向...