シリコン上の縦型GaNデバイス実現に道を拓く低抵抗バッファー層を開発

— GaNのエピタキシャル成長と縦方向の電気伝導を両立 —

【注目の成果：共同研究・産学連携のためのチェックポイント】

シリコンウェハー上での縦型GaNデバイス作製に向けた基盤技術であり、将来的には高効率パワーデバイスやマイクロLEDデバイスの低コスト化に貢献することが期待

【産学連携対象全学共通分野 Discovery Saga】

工学

【Sagaキーワード】

GaN/エピタキシャル成長/バッファー層/パワーデバイス/窒化ガリウム/発光ダイオード（LED）/アモルファス/エピタキシャル/電気伝導/熱安定性/シリコン/マイクロ

2026.06.15
NIMS（国立研究開発法人物質・材料研究機構）

概要

NIMSは、安価なシリコン（Si）ウェハー上への縦型窒化ガリウム（GaN）デバイスの実現に不可欠な、極めて低抵抗かつ優れた熱安定性をもつGaNエピタキシャル成膜技術の開発に成功しました。この新技術「アモルファスライク中間層（AL-IL）」は、Siと窒素（N）から成る極薄膜によって、SiとGaNの格子不整合を緩和するとともに、基板とGaN膜の間で縦方向に電流を流すことを可能にします。本成果は、シリコンウェハー上での縦型GaNデバイス作製に向けた基盤技術であり、将来的には高効率パワーデバイスやマイクロLEDデバイスの低コスト化に貢献することが期待されます。この研究成果は、5月29日にAdvanced Physics Research誌に掲載されました。

研究詳細

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