物質・材料研究機構 研究次世代半導体MoS2の革新的ウエハースケール成膜技術を開発
— 結晶成長の自己整合および自己停止メカニズムにより高移動度を達成 —
【注目の成果：共同研究・産学連携のためのチェックポイント】
 | 量産化を見据えたウエハースケールで高品質な単層MoS2単結晶膜の形成という産業界からの要請に応えるとともに、次世代サブ1 nmノード論理トランジスタ実現に向けた重要な一歩 |
【産学連携対象 全学共通分野 Discovery Saga】
【Sagaキーワード】
2026.01.21
国立大学法人東京大学
NIMS（国立研究開発法人物質・材料研究機構）
東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ株式会社
国立大学法人東海国立大学機構名古屋大学
国立大学法人筑波大学
国立研究開発法人科学技術振興機構（JST）
発表のポイント
MOCVD法を用いて、サファイア基板上のMoS2結晶粒が自己整合して単結晶化する革新的な成長メカニズムを発見。
独自のプリカーサ選択により、成膜反応が単層厚さで自動停止する新たな現象を見いだし、2インチサイズのウエハー全体にわたって均一で再現性の高い単層MoS2膜を実現。
2つの成膜メカニズムの相乗効果により高い電子移動度を達成。量産化を見据えたウエハースケールで高品質な単層MoS2単結晶膜の形成という産業界からの要請に応えるとともに、次世代サブ1nmノード論理トランジスタ実現に向けた重要な一歩。