国立研究開発法人 産業技術総合研究所（以下「産総研」という）先進パワーエレクトロニクス研究センター 新機能デバイスチーム 梅沢 仁 上級主任研究員、牧野 俊晴 研究チーム長、竹内 大輔 副研究センター長は、株式会社本田技術研究所（以下「Honda」という）との自動車駆動に向けた高電圧・大電流対応ダイヤモンドパワーデバイスに関する共同研究により、大電流動作を可能とするダイヤモンド...

国立研究開発法人 産業技術総合研究所（以下「産総研」という）物理計測標準研究部門 岸川 諒子 主任研究員、研究戦略企画部 堀部 雅弘 次長は、株式会社テクノプローブ（以下「テクノプローブ」という）、Keysight Technologies, Inc.（日本法人：キーサイト・テクノロジー株式会社、以下「キーサイト」という）と共同で、さまざまな電極形状をもつ表面実装パワーデバイスの高周波特性を汎用的に評価するシステムを開発しました。パワーデバイスは、大電流を高速にオ...

国立研究開発法人 産業技術総合研究所（以下「産総研」という）先進パワーエレクトロニクス研究センター 八尾惇 主任研究員、佐藤弘 研究チーム長、岡本光央 研究チーム長は、株式会社 明電舎（以下「明電舎」という）と共同でSiC CMOS駆動回路を内蔵したSiCパワーモジュール（以下「SiC CMOSパワーモジュール」という）によるモーター駆動を世界で初めて実現しました。SiC（シリコンカーバイド）パワーデバイスは、...

東京科学大学（Science Tokyo）* 工学院 電気電子系の波多野睦子教授と岩崎孝之教授、産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センターの牧野俊晴研究チーム長と加藤宙光上級主任研究員、および信越化学工業株式会社 精密機能材料研究所の野口仁主席研究員らで構成される文部科学省 光・量子飛躍フラッグシッププログラム（Q-LEAP）のグループは、異種（非ダイヤモンド）基板上にダイヤモンド層をヘテロエピ成長させ、量子センサに適した（111）結晶方位とコヒーレンス時間...

東京大学大学院新領域創成科学研究科の杉本宜昭教授らの研究グループは、東京大学物性研究所の尾崎泰助教授らの研究グループと産業技術総合研究所（以下、産総研）先進パワーエレクトロニクス研究センターの小倉政彦主任研究員らの研究グループと共同で、ダイヤモンド表面を原子レベルで観察する技術を開発しました。ダイヤモンドは究極の半導体として、パワーデバイスや量子デバイスの材料として注目されています。デバイスの製作過程において、微細加工技術で作製される微小なデバイスであるほど、原子レベルの欠陥がデバイス性能へ及ぼす影響が無視できなくなります。デバイスの性能を向上させるためには、ダイヤモンド表面を原子...