産業技術総合研究所 研究ダイヤモンドパワーデバイスのアンペア級の高速スイッチング動作を確認
－次世代モビリティのパワーユニット駆動に向けたダイヤモンドパワー半導体－
【産学連携対象 全学共通分野 Discovery Saga】
【Sagaキーワード】
並列化/再生可能エネルギー/パルス/高周波/ケイ素/GaN/MOSFET/キャリア/トランジスタ/パワーデバイス/バンドギャップ/高電圧/酸化膜/窒化ガリウム/電界効果トランジスタ/電力変換/半導体デバイス/半導体材料/カーボンニュートラル/高温環境/評価手法/単結晶/電界効果/電池/カーボン/SiC/シリコン/パワーエレクトロニクス/モーター/モビリティ/高効率化/自動車/電気自動車/熱伝導/熱伝導率/半導体/MRS
発表・掲載日：2025/03/24
ポイント
ダイヤモンドMOSFETのアンペア級高速スイッチング特性を世界で初めて実証2.5アンペアの動作電流で立下り、立上り時間が19ナノ秒、32ナノ秒の高速動作であることを確認
次世代パワーデバイスとして期待されるダイヤモンド半導体およびパワーユニット駆動回路の研究開発を大きく前進
論文情報
掲載誌：Applied Physics Express(APEX)論文タイトル：Ampere-class double pulse testing of half-inch H-terminated diamond MOSFET chip
著者：K. Takaesu, D. Sano, I. Ota, K. Otsuka, D. Takeuchi, T. Makino and H. Umezawa
DOI：10.35848/1882-0786/adba3a