|
検索したキーワードがページ内でハイライトします。
| RESET |
研究キーワード:大阪大学における「酸化膜」 に関係する研究一覧:2件
概要表示
折りたたむ
発表日:2026年6月24日
1
空気中で高強度な銅焼結接合を実現!
次世代パワー半導体向け新技術
大阪大学産業科学研究所 フレキシブル3D実装協働研究所のFupeng Huo特任研究員、陳伝彤(チン・テントウ)特任教授(常勤)らの研究グループは、空気中での銅粒子の酸化を抑制しながら、高強度な焼結接合を実現する新技術を開発しました。銅(Cu)は銀(Ag)に比べて低コストでありながら熱および電気伝導率が高く、次世代パワー半導体や高性能電子機器向け接合材料として期待されています。しかし、銅は高温で容易に酸化するため、従来の焼結接合プロセスでは、窒素ガスなどを用いた特殊環境下での実施が不可欠であり、生産コストや設備負担が大きな課題となっていました。今回、研究グループは、焼結中に銅の...
キーワード:コンピューティング/人工知能(AI)/再生可能エネルギー/ケイ素/耐熱性/エネルギーシステム/酸化銅/材料科学/GaN/フレキシブル/酸化膜/窒化ガリウム/電力変換/持続可能/省エネ/高温環境/持続可能な開発/電気伝導/SiC/ナノメートル/ナノ粒子/パワーエレクトロニクス/高効率化/自動車/省エネルギー/新エネルギー/接合部/電気自動車/電気伝導率/電力変換器/半導体/特殊環境
他の関係分野:情報学環境学化学総合理工工学農学
概要表示
折りたたむ
発表日:2025年8月30日
2
\SiCパワーデバイスの利便性アップ!/ SiC MOSデバイスの性能・信頼性を向上する新手法
高温での希釈水素熱処理が鍵
大阪大学大学院工学研究科の小林拓真准教授、藤本博貴さん(博士後期課程)、神畠真治さん(当時 博士前期課程)、八軒慶慈さん(博士前期課程)、原征大助教、渡部平司教授の研究グループは、希釈水素熱処理(図1)によるSiC MOSデバイスの性能及び信頼性向上を達成しました。電気自動車や鉄道、産業機器などに広く応用されるSiC MOSデバイスは、窒素等の異種不純物導入による特性改善が一般的ですが、酸化膜中への不純物導入によるデバイスの信頼性劣化が課題となっていました。今回、研究グループは、余分な不純物を一切排除し、成熟したシリコンテクノロジーで広く用いられる希釈水素熱処理を高温で2度施す...
キーワード:パワーデバイス/酸化膜/カーボンニュートラル/持続可能/省エネ/持続可能な開発/カーボン/SiC/シリコン/移動度/自動車/電気自動車/熱処理/ナトリウム/ラット/ストレス
他の関係分野:工学
大阪大学 研究シーズ