ナノ表面・界面制御による超薄型シリコン太陽電池の高効率化に関する研究
【研究分野】応用物性・結晶工学
【研究キーワード】
太陽電池 / 太陽光発電 / ヘテロ接合 / シリコン太陽電池
【研究成果の概要】
ヘテロ接合構造を有するシリコン太陽電池は、今後の変換効率向上の決め手とされている。一般的にヘテロ接合には、水素化アモルファスSiが用いられ、優れたパッシベーション効果によって高い開放電圧が得られるが、製膜条件によっては、界面にエピタキシャル層が形成され、パッシベーション効果が著しく劣化するという問題があった。そこで、本研究では、ワイドギャップでエピタキシャル成長が起こりにくいアモルファスSiOあるいはナノ結晶3C-SiCを用いて、パッシベーション効果を高める研究を行った。その結果、開放電圧708 mVで変換効率20.1 %という期待通りの値が得られ、当初の研究目標を達成した。
【研究代表者】
【研究分担者】 |
| 宮島 晋介 | 東京工業大学 | 大学院理工学研究科 | 准教授 | (Kakenデータベース) |
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【研究種目】基盤研究(A)
【研究期間】2010-04-01 - 2014-03-31
【配分額】40,690千円 (直接経費: 31,300千円、間接経費: 9,390千円)