原子層状TMDCチャネル2D-MISFETの3D構造化への挑戦
【研究分野】電子デバイス・電子機器
【研究キーワード】
2次元層状半導体膜 / 遷移金属ダイカルコゲナイド / 二硫化モリブデン / 3次元成長 / 2次元成長 / 核形成 / スパッタ法 / 2D FET / 3D構造 / MISFET / MoS2
【研究成果の概要】
原子層状半導体の遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)を用いた二次元チャネル電界効果型トランジスタ(2D-MISFET)について、超高真空RFマグネトロンスパッタ法による二硫化モリブデン(MoS2)膜は、金属Dot側壁において基板表面法線方向3次元Fin形状が断面TEMで観察されたが、制御性に欠ける。一方、下地基板表面粗さによる結晶性の乱れをトリガーにしたMoS2 Fin形状を確認した。またRaman分光法によりその内部応用力は小さく、結晶性が高いことを確認した。以上、三次元MoS2膜を実現するには、パターニング部からの核発生よりも、TMDC膜の粒界制御の方が有効であることを見出した。
【研究代表者】
【研究種目】挑戦的萌芽研究
【研究期間】2016-04-01 - 2018-03-31
【配分額】3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)