光EFISHG法による積層有機ELの界面トラップキャリア分布とEL輝度劣化の研究
【研究分野】電子・電気材料工学
【研究キーワード】
誘電物性 / 解析・評価 / トラップ / 可視化 / 光第2次高調波発生 / 電子デバイス・機器 / 電子・電気材料 / 電界 / 誘電体物性 / 長寿命化 / 界面 / 分極 / 絶縁体物性
【研究成果の概要】
本研究では、研究代表者が世界に先駆けて実現した光学的手法(EFISHG法)によるキャリア挙動の直接評価法を拡張し、EL輝度劣化の原因となるトラップキャリアを実空間およびエネルギー空間の両面からの評価を実現した。実空間測定ではCCDによるイメージング光学系と軸対称偏光顕微鏡を新たに構築し、トラップキャリアの3つの現れ方(1:電圧特性、2:時間特性、3:空間分布のパターン形成)を明確化した。エネルギー空間測定では、光励起、熱刺激、微弱電界発光による評価システムを構築し、トラップキャリア準位の分布をエネルギー分解能0.2 eVで測定した。
【研究代表者】
【研究種目】若手研究(A)
【研究期間】2013-04-01 - 2017-03-31
【配分額】24,830千円 (直接経費: 19,100千円、間接経費: 5,730千円)