光触媒で生じるプラスの電荷（正孔）が、材料によって深いトラップ状態に捕捉される場合と、浅い状態にとどまる場合があることを、世界で初めて Type A/B/C の3つに分類し、統一的に説明しました。可視光で働く光触媒では、構成元素の電子的性質により正孔が深いトラップ状態に落ちにくく、結晶欠陥があっても活性が維持される「欠陥耐性」が生まれることを明らかにしました。この成果は、太陽光の大部分を占める可視光を利用し、かつ、クリーンエネルギー分野で注目される光触媒の高活性化と長寿命化を実現する明確な材料設計指針を与えます。　岡山大学学術研究院先鋭研究領域（異分野基礎科学研...

本学は1月22日、共創イノベーションラボ（KIBINOVE）において、第4回に続き「光創ネクサス」第5回ミーティングを開催しました。...

三次元LSIなどの最先端半導体開発に貢献する、新しい分析手法を開発。半導体PN接合の光励起による電子の動きとテラヘルツ波放射の関係を説明する単純化モデルを提案。シリコン（Si）ウェハ内部に浅く形成されたPN接合の深さを、簡単に非破壊・非接触で、ナノメートル精度で、推定できることを実証。　岡山大学、ライス大学、サムスン電子、日本サムスンによる国際研究グループは、シリコンウェハに埋め込まれたPN接合にフェムト秒レーザーを照射して生成されるテラヘルツ波を観察することで、非破壊かつ非接触で、簡単にウェハ内のPN接合の深さを推定する分析技術を、6月20日午後3時（日本時間...