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研究キーワード:大阪大学における「半導体デバイス」 に関係する研究一覧:6件
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発表日:2026年2月3日
1
\電極なしで半導体薄膜の電気的特性を測定/ 光の反射係数の再定式化で半導体薄膜の性能を瞬時に評価
テラヘルツ波で次世代半導体デバイス開発を加速させる解析技術
大阪大学大学院基礎工学研究科の大学院生・岡本章宏さん(博士前期課程)、永井正也准教授、芦田昌明教授らの研究グループは、日邦プレシジョン(株)との共同研究により、半導体薄膜の電気的特性を非接触・非破壊で評価できる新しい光学的解析モデルを世界で初めて提案しました。このモデルは、光の反射を記述するフレネル係数を電磁気学の基本原理から再考し、波長よりも十分薄い薄膜内の多重反射光を界面電流として取り扱うことで、反射係数から導電薄膜の面伝導度を直接導き出す簡便な式を導いたものです。従来の方法では、電極を形成する工程が必要であり、材料の損傷や汚染のリスクがありましたが、この新しい手法は、従来必要だっ...
キーワード:トポロジカル絶縁体/物質科学/ホール効果/超薄膜/スペクトル/テラヘルツ/磁場/数値計算/二次元材料/量子ビット/テラヘルツ電磁波/トポロジカル/GaN/キャリア/テラヘルツ波/フォトニクス/絶縁体/電子デバイス/半導体デバイス/誘電率/持続可能/ボトルネック/持続可能な開発/SiC/インタラクティブ/インバータ/シリコン/移動度/解析モデル/境界条件/周波数/多層膜/電磁波/半導体/非接触/機能材料/層構造/SPECT/評価法
他の関係分野:数物系科学総合理工工学農学
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発表日:2025年9月25日
2
ハーフメタル材料の磁化歳差運動を電界で変調
スピン波を情報担体とする新型デバイスの実現に
大阪大学大学院基礎工学研究科の山田晋也准教授、宇佐見喬政助教(研究当時)(現:先導的学際研究機構講師)、浜屋宏平教授、京都工芸繊維大学電気電子工学系の三浦良雄教授、慶應義塾大学理工学部の能崎幸雄教授、名古屋大学大学院理学研究科の谷山智康教授らの共同研究グループは、高性能スピントロニクス磁石材料(ハーフメタル材料)であるコバルト(Co)基ホイスラー合金磁石(Co₂FeSi)と表面弾性波材料として有名な圧電体ニオブ酸リチウム(LiNbO₃...
キーワード:アンテナ/モノのインターネット(IoT)/人工知能(AI)/学際研究/マグノン/異方性/磁場/マグノニクス/磁気異方性/磁気伝導/磁性体/表面弾性波/クロム/元素戦略/エピタキシャル成長/スピンデバイス/スピン波/ダンピング/トランジスタ/強磁性/半導体デバイス/エネルギー効率/持続可能/持続可能な開発/エピタキシャル/ニオブ/ハーフメタル/ホイスラー合金/圧電体/原子配列/コバルト/スピン/スピントロニクス/ダイナミクス/ナノ構造/ニオブ酸リチウム/リチウム/構造制御/弾性波/低消費電力/二酸化炭素/半導体/摩擦特性/結晶構造
他の関係分野:情報学環境学数物系科学総合理工工学農学
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発表日:2025年5月30日
3
室温で半導体pn接合を介したスピン伝導を初観測!
消費電力の増大に歯止めをかける次世代スピントロニクスデバイス開発に期待
大阪大学大学院基礎工学研究科の大木健司さん(博士後期課程)、上田信之介さん(博士前期課程)、浜屋宏平教授、同大学先導的学際研究機構 スピン学際研究部門 宇佐見喬政講師、熊本大学半導体・デジタル研究教育機構の山本圭介教授、東京都市大学総合研究所の澤野憲太郎教授らの共同研究グループは、半導体pn接合を有するデバイス構造において、世界で初めて室温でスピン伝導を観測することに成功しました(図1)。現在、AI(半導体)の普及により大規模データセンターの消費電力は深刻な増大を続けています。そこで、低消費電力演算機能と不揮発メモリ機能を併せ持つ次世代の半導体スピントロニクスデバイス...
キーワード:低消費電力化/モノのインターネット(IoT)/人工知能(AI)/学際研究/スピン偏極/磁性体/FET/スピンデバイス/スピン注入/メモリ/メモリ素子/強磁性/強磁性半導体/磁性半導体/半導体デバイス/不揮発メモリ/カーボンニュートラル/持続可能/持続可能な開発/ゲルマニウム/ホイスラー合金/磁性材料/カーボン/スピン/スピントロニクス/トンネル/極低温/低消費電力/半導体/量子力学
他の関係分野:情報学環境学数物系科学総合理工工学
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発表日:2025年3月27日
4
半導体と金属界面の接触抵抗の評価手法を一新
次世代半導体デバイスの利用環境に適応する界面材料の発見に期待
京都工芸繊維大学 菅原 徹 教授(兼:大阪大学産業科学研究所 招へい教授)らの研究グループは、大阪大学産業科学研究所、トリノ工科大学らと協力し、異なる材料間の界面での接触抵抗を直接比較できる界面物性評価手法を開発し、半導体デバイスの利用条件に適した界面材料を提案できることを明らかにしました。これまで半導体/金属界面の接触抵抗は、伝送長法(Transfer Length Method: TLM)を用いて測定されてきました。しかしながら、TLMは、測定サンプル(デバイス)に使用する半導体の厚みを考慮しておらず、半導体や金属、サイズなどの条件が異なるサンプル間で接触抵抗を直接比較し、評価する...
キーワード:サンプルサイズ/情報学/産学連携/界面物性/絶縁体/電子デバイス/半導体デバイス/半導体材料/温度依存性/材料特性/評価手法/チタン/電気抵抗/化合物半導体/金属材料/半導体/エネルギー変換/スマートフォン
他の関係分野:情報学複合領域工学農学
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発表日:2025年2月28日
5
絶縁膜と炭化ケイ素(SiC)の界面に局在する 発光中心のエネルギー準位を解明
大阪大学大学院工学研究科の小林拓真准教授、大西健太郎さん(博士前期課程)、中沼貴澄さん(博士後期課程)、渡部平司教授は、豊田中央研究所の遠山晴子博士、田原康佐博士、朽木克博博士と共同で、絶縁膜/炭化ケイ素(SiC)界面発光中心のエネルギー準位を解明することに成功しました。SiCは優れた材料物性を有し、微細加工やプロセス技術も進展しているため、量子技術への応用が期待されています。特に絶縁膜/SiC界面発光中心は、量子技術で重要な単一光子源として機能します(図1)。界面発光中心は、量子研究分野で有名なダイヤモンド中の...
キーワード:コンピューティング/情報学/産学連携/ダイマー/量子暗号/ケイ素/NVセンター/トランジスタ/単一光子/単一光子源/半導体デバイス/持続可能/持続可能な開発/量子コンピューティング/光学特性/SiC/トラップ/レーザー/半導体/微細加工/酸素分圧/心臓
他の関係分野:情報学複合領域数物系科学化学総合理工工学総合生物
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発表日:2025年2月19日
6
二次元材料上で二酸化バナジウムの超薄膜化に成功!
安価で柔軟な次世代エレクトロニクス用材料の合成技術
大阪大学産業科学研究所の余博源さん(大学院基礎工学研究科博士後期課程)、田中秀和教授、物質・材料研究機構の渡邊賢司博士、谷口尚博士らの研究グループは、二次元材料のひとつである六方晶窒化ホウ素(hBN)の上に、パルスレーザ蒸着法を用いて二酸化バナジウム(VO2...
キーワード:ユビキタス/学際研究/パルス/物質科学/六方晶窒化ホウ素/超薄膜/スペクトル/二次元材料/ラマン/強相関/バナジウム/ナノデバイス/フレキシブル/半導体デバイス/半導体材料/微細化/有機材料/持続可能/持続可能な開発/半導体産業/単結晶/グラフェン/シリコン/スピン/ナノスケール/ナノメートル/酸化物/積層構造/半導体/光学顕微鏡/ホウ素/結晶構造/層構造/スマートフォン
他の関係分野:情報学環境学数物系科学総合理工工学総合生物農学
大阪大学 研究シーズ