名古屋大学 研究シーズ|
検索したキーワードがページ内でハイライトします。
| RESET |
研究キーワード：名古屋大学における「結晶方位」 に関係する研究一覧：3件
概要表示
折りたたむ
発表日：2026年3月13日
1
次世代パワー半導体"最有力素材"の新規技術を確立
～世界初「酸化ガリウム」成長技術でEV、再エネ、宇宙開発を加速～
・高密度酸素ラジカル源（HD-ORS）を開発し、分子線エピタキシー（MBE）注1）・物理蒸着法（PVD）注2）で原子状酸素密度を従来比2倍に向上。・HD-ORSを用いたMBEで、300℃、1µm/hにて次世代パワー化合物半導体注3）である酸化ガリウム（Ga₂O₃）注4）の高速ホモエピタキシャル成長注5）を実現。・PVDにおいてもHD-ORSを活用することにより、1µm/h超の高速成長で安定した（001）面ホモエピタキシャル膜を実現。...
キーワード：CdTe/超高真空/GaN/InP/エピタキシャル成長/パワーデバイス/ヘテロエピタキシー/分子線エピタキシー(MBE)/省エネ/エピタキシー/エピタキシャル/単結晶/SiC/スパッタリング/化合物半導体/結晶化/結晶成長/結晶方位/原子状酸素/熱処理/熱伝導/半導体/結晶構造/ラジカル
他の関係分野：数物系科学工学農学
概要表示
折りたたむ
発表日：2025年12月10日
2
電流を使わず人工反強磁性体の電界制御技術を構築 超省エネルギー型スピントロニクスデバイスへの応用に新たな扉
・ジュール発熱注1)の原因となる電流を用いず、電界のみで磁気結合の制御を実証。・[Co/Ru/Co] エピタキシャル注2)多層膜人工反強磁性体注3)/圧電単結晶注4)PMN-PTヘテロ構造の創製。・人工反強磁性体[Co/Ru/Co] エピタキシャル多層膜における層間磁気結合注5)の電界制御に成功。・超低消費電力電界制御型反強磁性スピントロニクスデバイス注6)の実現に新たな道。 名古屋大学大学院理学...
キーワード：反強磁性/反強磁性体/テラヘルツ/磁場/磁気モーメント/磁性体/圧電効果/強磁性/電子デバイス/省エネ/エピタキシャル/圧電体/強磁性体/磁気特性/単結晶/電気抵抗/電子状態/コバルト/シミュレーション/スピン/スピントロニクス/ダイナミクス/マイクロ/結晶方位/省エネルギー/積層構造/多層膜/第一原理/第一原理計算/低消費電力/膜構造/量子力学/層構造/ルテニウム
他の関係分野：数物系科学総合理工工学
概要表示
折りたたむ
発表日：2025年9月21日
3
ハーフメタル材料の磁化歳差運動を電界で変調
―スピン波を情報担体とする新型デバイスの実現に道―
・高性能スピントロニクス※1材料として有名な強磁性※2ホイスラー合金※3の一種であるCo2FeSiと表面弾性波材料※4として有名な圧電体※5ニオブ酸リチウム(LiNbO3)からなるエピタキシャル※6Co2FeSi/LiNbO3界面マルチフェロイク構造※7を実現。・スピン波※8の長距離伝播が示唆される低磁気摩擦特性(低ダンピ...
キーワード：アンテナ/モノのインターネット（IoT）/人工知能（AI）/学際研究/スピン偏極/マグノン/準粒子/磁場/マグノニクス/磁気モーメント/磁性体/表面弾性波/固体表面/スピン波/ダンピング/圧電効果/圧力センサー/強磁性/誘電体/エピタキシャル/ニオブ/ハーフメタル/ホイスラー合金/圧電体/強磁性体/強誘電体/原子配列/単結晶/電気抵抗/アクチュエータ/コバルト/スピン/スピントロニクス/センサー/ダイナミクス/ニオブ酸リチウム/リチウム/結晶成長/結晶方位/積層構造/弾性波/低消費電力/二酸化炭素/半導体/摩擦特性/量子力学/力センサー/層構造
他の関係分野：情報学環境学数物系科学総合理工工学