名古屋大学 研究シーズ|
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研究キーワード：名古屋大学における「低消費電力」 に関係する研究一覧：7件
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発表日：2026年5月20日
この記事は2026年6月3日号以降に掲載されます。
1
アナログインメモリ計算回路のチュートリアル：計算原理、非理想性、ハードウェア考慮学習の体系化
この記事は2026年6月3日号以降に掲載されます。
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発表日：2026年5月11日
2
コイルなしで発振する電子回路を実現
－巨大インダクタンスを分子材料で発見－
理化学研究所（理研）開拓研究所上野核分光研究室の大島勇吾専任研究員、名古屋大学大学院工学研究科の竹延大志教授、東北大学大学院理学研究科の高石慎也准教授らの共同研究グループは、分子性物質[1]に基づくメモリスタ[2]においてコイルを用いずに発振する電子回路を発見しました。本研究により、従来はコイル[3]によって実現されてきたインダクター[3]機能を、物質の内部ダイナミクスによって代替できることが示され、コイル不要の発振回路が可能となりました。これにより、低周波回路設計の自由度向上や小型・集積化への...
キーワード：モット絶縁体/電子相関/非線形/分子性物質/ニューロモルフィック/メモリ/絶縁体/電子デバイス/電子回路/電気抵抗/電気伝導/ヒステリシス/インピーダンス/ダイナミクス/周波数/低消費電力/半導体/機能性/ニューロン/神経回路/神経細胞
他の関係分野：数物系科学工学農学
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発表日：2026年5月8日
3
強誘電体のドメイン構造を原子レベルで解明
ペロブスカイト層数の「偶数・奇数」が支配する新たな設計原理を発見
・走査透過電子顕微鏡（STEM）注1）を用いて、層状ペロブスカイト注2）強誘電体注3）のドメイン構造注4）を原子レベルで直接観察。・ペロブスカイト層の層数nと偶奇性に応じてドメイン構造が本質的に異なることを発見。・n = 4のハイブリッド間接型強誘電体注5）では、中性および帯電したドメイン壁注6）が共存する新しいドメイン構造を発見し、原子レベルで形成機構を解明。・次世代メモリやナノ電子デバイス設計に新たな指針を提示。&...
キーワード：アルカリ金属/ビスマス/対称性/電気分極/誘電性/ジルコン/圧電性/ナノ電子デバイス/強誘電性/電子線/ペロブスカイト/メモリ/メモリ素子/絶縁体/電子デバイス/分極反転/誘電体/ICカード/STEM/チタン/チタン酸バリウム/ドメイン構造/強誘電体/電気伝導/電気伝導性/PZT/アクチュエータ/マイクロ/金属イオン/低消費電力/電子顕微鏡/透過電子顕微鏡/分解能/結晶構造/マイクロデバイス/構造変化
他の関係分野：数物系科学化学総合理工工学農学
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発表日：2026年1月22日
4
次世代半導体MoS2の革新的ウエハースケール成膜技術を開発
――結晶成長の自己整合および自己停止メカニズムにより高移動度を達成――
・MOCVD法を用いて、サファイア基板上のMoS2結晶粒が自己整合して単結晶化する革新的な成長メカニズムを発見。・独自のプリカーサ選択により、成膜反応が単層厚さで自動停止する新たな現象を見いだし、2インチサイズのウエハー全体にわたって均一で再現性の高い単層MoS2膜を実現。・2つの成膜メカニズムの相乗効果により高い電子移動度を達成。量産化を見据えたウエハースケールで高品質な単層MoS2単結晶膜の形成という産業界からの要請に応えるとともに、次世代サブ1 nmノード論理トランジスタ実現に向けた重要な一歩。...
キーワード：金属元素/高移動度/モリブデン/電子移動/有機金属化学/有機金属/前駆体/エピタキシャル成長/トランジスタ/パワーデバイス/ファンデルワールス力/大規模集積回路/電子デバイス/二硫化モリブデン/半導体デバイス/温度依存性/発光ダイオード（LED）/半導体産業/エピタキシャル/単結晶/レーザー/移動度/結晶化/結晶成長/酸化物/集積回路/低消費電力/半導体/結晶構造
他の関係分野：環境学化学総合理工工学農学
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発表日：2025年12月10日
5
電流を使わず人工反強磁性体の電界制御技術を構築 超省エネルギー型スピントロニクスデバイスへの応用に新たな扉
・ジュール発熱注1)の原因となる電流を用いず、電界のみで磁気結合の制御を実証。・[Co/Ru/Co] エピタキシャル注2)多層膜人工反強磁性体注3)/圧電単結晶注4)PMN-PTヘテロ構造の創製。・人工反強磁性体[Co/Ru/Co] エピタキシャル多層膜における層間磁気結合注5)の電界制御に成功。・超低消費電力電界制御型反強磁性スピントロニクスデバイス注6)の実現に新たな道。 名古屋大学大学院理学...
キーワード：反強磁性/反強磁性体/テラヘルツ/磁場/磁気モーメント/磁性体/圧電効果/強磁性/電子デバイス/省エネ/エピタキシャル/圧電体/強磁性体/磁気特性/単結晶/電気抵抗/電子状態/コバルト/シミュレーション/スピン/スピントロニクス/ダイナミクス/マイクロ/結晶方位/省エネルギー/積層構造/多層膜/第一原理/第一原理計算/低消費電力/膜構造/量子力学/層構造/ルテニウム
他の関係分野：数物系科学総合理工工学
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発表日：2025年9月21日
6
ハーフメタル材料の磁化歳差運動を電界で変調
―スピン波を情報担体とする新型デバイスの実現に道―
・高性能スピントロニクス※1材料として有名な強磁性※2ホイスラー合金※3の一種であるCo2FeSiと表面弾性波材料※4として有名な圧電体※5ニオブ酸リチウム(LiNbO3)からなるエピタキシャル※6Co2FeSi/LiNbO3界面マルチフェロイク構造※7を実現。・スピン波※8の長距離伝播が示唆される低磁気摩擦特性(低ダンピ...
キーワード：アンテナ/モノのインターネット（IoT）/人工知能（AI）/学際研究/スピン偏極/マグノン/準粒子/磁場/マグノニクス/磁気モーメント/磁性体/表面弾性波/固体表面/スピン波/ダンピング/圧電効果/圧力センサー/強磁性/誘電体/エピタキシャル/ニオブ/ハーフメタル/ホイスラー合金/圧電体/強磁性体/強誘電体/原子配列/単結晶/電気抵抗/アクチュエータ/コバルト/スピン/スピントロニクス/センサー/ダイナミクス/ニオブ酸リチウム/リチウム/結晶成長/結晶方位/積層構造/弾性波/低消費電力/二酸化炭素/半導体/摩擦特性/量子力学/力センサー/層構造
他の関係分野：情報学環境学数物系科学総合理工工学
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発表日：2025年8月20日
7
ビスマスフェライトにおける新たな結晶相の発見
・電気を記憶する強誘電性や磁気を記録する強磁性を併せ持つ「マルチフェロイクス材料」であるビスマスフェライトの薄膜は情報記録やスピントロニクスなどの分野で応用が期待されている。・ビスマスフェライト薄膜の性質は原子配列を特徴づける「結晶相」によって決まる。・本研究では、先端電子顕微鏡により、ビスマスフェライト薄膜中に√２×√２の周期を持つ新しい結晶相を発見した。・これは次世代メモリやスピントロニクス、エネルギー変換材料の設計に新たな視点を提供する成果である。 熊本大学半導体・デジタル研究教育機構...
キーワード：最適化/ビスマス/マルチフェロイック/誘電性/強誘電性/原子分解能/走査透過型電子顕微鏡/フェライト/フェライト薄膜/メモリ/強磁性/誘電特性/STEM/原子配列/材料設計/アルミニウム/スピン/スピントロニクス/低消費電力/電子顕微鏡/半導体/分解能/エネルギー変換
他の関係分野：情報学数物系科学総合理工工学農学