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研究キーワード:筑波大学における「高移動度」 に関係する研究一覧:1件
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発表日:2026年1月22日
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次世代半導体MoS₂の革新的ウエハースケール成膜技術を開発
―結晶成長の自己整合および自己停止メカニズムにより高移動度を達成―
Self-aligned and self-limiting van der Waals epitaxy of monolayer MoS2 for scalable 2D electronics...
キーワード:高移動度/移動度/結晶成長/半導体
他の関係分野:化学工学
筑波大学 研究シーズ