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筑波大学 研究Discovery Saga
2026年1月22日

次世代半導体MoS₂の革新的ウエハースケール成膜技術を開発

―結晶成長の自己整合および自己停止メカニズムにより高移動度を達成―

【注目の成果:共同研究・産学連携のためのチェックポイント】
量産化を見据えたウエハースケールで高品質な単層MoS2単結晶膜の形成という産業界からの要請に応えるとともに、次世代サブ1 nmノード論理トランジスタ実現に向けた重要な一歩
【産学連携対象 全学共通分野 Discovery Saga】
化学工学
【Sagaキーワード】
高移動度/移動度/結晶成長/半導体
テクノロジー・材料

PDF資料

プレスリリース

掲載論文

【題名】
Self-aligned and self-limiting van der Waals epitaxy of monolayer MoS2 for scalable 2D electronics
【掲載誌】
Nature Communications
【DOI】
10.1038/s41467-026-68320-8