炭化ケイ素（SiC）は、優れた耐熱性および化学的安定性を有するセラミックスです。中でもβ-SiCは、半導体・電子材料、触媒、エネルギー貯蔵材料など、幅広い分野への応用が期待されています。一方、SiCの合成には一般に高温処理が必要であり、ナノスケールの多孔質構造を同時に形成・制御することは非常に困難です。東北大学金属材料研究所の卞筱（Bian, Xiao）学術研究員（研究当時、同大学大学院工学研究科博士課程学生）、和田武准教授、加藤秀実教授らの研究グループは、溶融金属を利用して特定の元素を取り除く「金属溶湯脱成分法」（Liquid Metal Dealloying: LMD）をSiC...