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研究分野別サイレントキーワード
「酸化亜鉛」とサイレントキーワードを含む研究
【化学】材料化学：ナノロッド ／酸化亜鉛を含む研究件
❏ライデンフロスト現象を用いた新規低温廃熱エネルギー回収システム開発への挑戦(18K19125)
【研究テーマ】
【研究種目】挑戦的研究(萌芽)
【研究期間】2018-06-29 - 2021-03-31
【研究代表者】中島 章 東京工業大学, 物質理工学院, 教授 (00302795)
【キーワード】ライデンフロスト / 磁性流体 / ラチェット / 核沸騰 / 重力 (他10件)
【概要】平滑なSi基板およびラチェット構造を付与したZn板上にZnOナノロッド（ZnO-NR）を形成し、ライデンフロスト現象を調査した。Si基板での結果から、ライデンフロスト温度の低下に適切な固液接触面積分率があることが明らかになった。Zn板での実験から、水滴の自走は核沸騰由来と重力由来に分けられ、温度と構造に依存することが明らかになった。特にZnO-NRを1つおきに配置した表面では、自走温度の低下と自走...
❏酸化亜鉛ナノロッド/高分子ハイブリッド材料の成形加工と新規青色発光素子への展開(21850004)
【研究テーマ】機能材料・デバイス
【研究種目】研究活動スタート支援
【研究期間】2009 - 2010
【研究代表者】久保 祥一 東北大学, 多元物質科学研究所, 助教 (20514863)
【キーワード】ナノロッド / 高分子 / 発光素子 / 成型 / ナノ材料 (他9件)
【概要】高アスペクト比の酸化亜鉛ナノロッドを再現性よく合成する方法を探索し、強塩基アルコール中での合成法を見出した。アルコールの種類によって得られるナノ結晶の成長が異なることを確認した。また、複合化させるのに適切な物性を持つ高分子材料を設計・合成し、シアノビフェニル基を側鎖とするポリメタクリレートの液晶性を評価した。側鎖の長さにより液晶性が異なり、長さの異なるユニットをランダムに導入した場合に、協同して液...
【総合理工】応用物理学：p-n接合 ／酸化亜鉛を含む研究件
❏配向性酸化亜鉛結晶を基板とした酸化物半導体デバイスの光学的,化学的機能展開(14350357)
【研究テーマ】無機材料・物性
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2002 - 2004
【研究代表者】藤津 悟 湘南工科大学, 工学部, 教授 (20165400)
【キーワード】酸化亜鉛 / ストロンチウム銅酸化物 / 発光 / pn接合 / ガスセンサー (他10件)
【概要】気相輸送法を応用した独自の方法を用いて配向性酸化亜鉛結晶を合成し,これを基板とした酸化物半導体デバイスを作成した。これを用いて以下の3つの研究を展開した。 (1)酸化亜鉛はワイドギャップを持つn型半導体である。これに同じくワイドギャプを持つp型半導体であるSrCu_2O_2をスパッタリング法およびYAGレーザを用いたPLD法により積層した。この組み合わせはすでに薄膜の組み合わせにおいて発光ダイオー...
❏酸化亜鉛の価電子制御とp-n接合発光素子の作製(11450007)
【研究テーマ】応用物性・結晶工学
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】1999 - 2000
【研究代表者】川崎 雅司 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助教授 (90211862)
【キーワード】酸化亜鉛薄膜 / エピタキシャル成長 / レーザーMBE / 格子整合基板 / 酸化亜鉛超格子薄膜 (他16件)
【概要】酸化亜鉛薄膜を原子レベルで平坦なサファイア基板c面上にレーザーMBEで成膜することによって、エピタキシャル成長を行うことができ、面内の配向や表面の極性の制御も実現した[I.Ohkubo et al.,Surf.Sci.Lett.443,L1043(1999)]。その結果、化合物半導体超格子と同レベルの品質を持つZnO/MgZnO超格子が作製でき、量子効果によるギャップのブルーシフトが観察された[A...
【総合理工】応用物理学：酸化銅 ／酸化亜鉛を含む研究件
❏異種酸化物結晶間のナノ空間制御による分子認識素子の設計(13650878)
【研究テーマ】工業物理化学
【研究種目】基盤研究(C)
【研究期間】2001 - 2002
【研究代表者】中村 吉伸 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助手 (30198254)
【キーワード】STM / 酸化銅 / 酸化亜鉛 / 酵素 / ナノ空間 (他17件)
【概要】本研究ではガス分子との反応・吸着などの相互作用が期待できる2種類の半導性酸化物結晶(CuOおよびZnO)を原子スケールで近接させてナノ空間を設定し、その空間に被検分子(直鎖アルコール)がとらえられることにより、酸化物(CuO)-気体分子-酸化物(ZnO)間相互作用を両半導性物質間のトンネル電流として計測することにより電気信号に変換し、生体系類似の分子の形状を認識しうるセンサー構成に成功した。0.1...
❏高温動作型半導体デバイスのための酸化物半導体接合の設計(06453076)
【研究テーマ】無機材料・物性
【研究種目】一般研究(B)
【研究期間】1994 - 1995
【研究代表者】柳田 博明 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (20010754)
【キーワード】ヘテロ接合 / 酸化銅 / 酸化亜鉛 / 整流性 / 固溶体 (他13件)
【概要】酸化銅、酸化亜鉛のスパッタリング膜の連続製膜およびCuO、ZnO圧粉体の同時成型焼成の2種類の方法でCuO/ZnOヘテロ接合を作成した。薄膜型CuO/ZnOヘテロ接合は480Kの高温まで良好な整流特性を示した。このヘテロ接合は界面容量が電圧に依存せず、p-i-n接合の形成が予想される。薄膜型CuO/ZnOヘテロ接合は673Kの空気中の熱処理により整流性が破壊された。等温過渡容量法(ICTS)により...
【工学】電気電子工学：同時ドーピング ／酸化亜鉛を含む研究件
❏弗化物/酸化物ハイブリッド単結晶ヘテロナノ構造の創製とフォトニクス素子への応用(13650336)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】基盤研究(C)
【研究期間】2001 - 2002
【研究代表者】渡辺 正裕 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助教授 (00251637)
【キーワード】酸化亜鉛 / シリコン / 弗化カルシウム / エピタキシャル成長 / 紫外線発光 (他10件)
【概要】本研究では、次世代の光・電子融合集積システムの基盤となる材料として、シリコン基板上にエピタキシャル成長可能な弗化物系化合物弗化カルシウム(CaF_2)ならびに直接遷移型ワイドギャップ半導体酸化亜鉛(ZnO)およびBeZnSeで構成される人工ヘテロ構造を提案し、この材料構成を用いたナノメートルサイズの人工単結晶ヘテロ構造の創製と、その量子構造制御によるフォトニクス素子への応用,特に紫外線レーザを視野...
❏単結晶絶縁体中に形成したナノ微結晶ヘテロ構造を用いたシリコン基板上発光素子の研究(11650315)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】基盤研究(C)
【研究期間】1999 - 2000
【研究代表者】渡辺 正裕 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科・物理情報システム創造専攻, 助教授 (00251637)
【キーワード】酸化亜鉛 / シリコン / 弗化カルシウム / エピタキシャル成長 / 紫外線発光 (他12件)
【概要】本研究は、シリコン基板上にエピタキシャル結晶形成可能な絶縁体及び半導体超格子を用いた発光・受光デバイスを実現するための基礎研究として、これまで報告者らにより実現されたシリコン基板上へのナノクリスタル酸化亜鉛(ZnO)/弗化カルシウム(CaF_2)ヘテロ構造形成技術を確立し、さらに、その新しい材料系の光物性を明らかにするとともに、発光素子応用への基礎となる実験的・理論的研究を目的とする。この目的を達...
【工学】電気電子工学：量子井戸構造 ／酸化亜鉛を含む研究件
❏酸化物半導体を用いた磁性量子井戸の形成と磁気光学効果の観測(21760230)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】若手研究(B)
【研究期間】2009 - 2010
【研究代表者】松井 裕章 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助教 (80397752)
【キーワード】磁気光学 / 量子井戸 / 円偏光性 / 酸化亜鉛 / ヘテロ界面 (他18件)
【概要】本研究では、量子井戸構造に立脚した磁気光学材料の創成を目指す。ZnO及びZnCoOを井戸及び障壁層とし、磁性イオンと励起子を空間分離したZnCoO/ZnO量子井戸を作製した。ZnCoOは、ZnOに対し量子障壁層として働き、s,p-d交換相互作用を示す。更に、Zn0.90Co0.10/ZnOのヘテロ界面のバンドオフセットは、160meVである。X線回折から、良質な超格子構造の形成を確認した。量子井戸...
❏表面ナノ構造体によるヘテロ界面構造の変調とその電子、磁気機能(18760231)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】若手研究(B)
【研究期間】2006 - 2007
【研究代表者】松井 裕章 大阪大学, ナノサイエンス・ナノチクロジー研究推進機構, 特任助教 (80397752)
【キーワード】酸化亜鉛(ZnO) / 非極性成長 / 1次元表面ナノ細線構造 / ヘテロ界面 / 低温電子輸送 (他13件)
【概要】本年度における研究は、表面ナノ構造をテンプレートとして、その上に、量子ヘテロ界面を形成し、低温域における量子伝導を観測する。ナノ細線構造の局所結晶構造は透過電子顕微鏡(TEM)を用いて同定された。平面TEM観察から、面内方向に転位の導入は見られない。ZnOの非極性は、異方的な原子配列を有し、薄膜成長中は、異方的な表面拡散が生じる。そして、表面ナノ細線は、シュワベールバリア効果によってボトムアップ的...
【工学】電気電子工学：励起子ポラリトン ／酸化亜鉛を含む研究件
❏室温動作ポラリトンレーザ構造のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシャル形成(22246037)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】基盤研究(A)
【研究期間】2010-04-01 - 2014-03-31
【研究代表者】秩父 重英 東北大学, 多元物質科学研究所, 教授 (80266907)
【キーワード】電子・電気材料 / ヘリコン波励起プラズマスパッタ / 微小共振器 / 励起子 / 励起子ポラリトン (他9件)
【概要】半導体中の励起子と微小共振器の光モードの強結合によりコヒーレント光を得る微小共振器結合励起子ポラリトンレーザは、新たな原理による低閾値コヒーレント光源として興味深い。本研究では、報告者の独自技術でありスパッタ法でありながら高品位半導体エピタキシャル成長が可能な「ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー法」を用い、室温動作の可能性が高い、酸化亜鉛活性層を分布ブラッグ反射鏡で挟む微小共振器構造を形成...
❏ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による酸化亜鉛エピタキシーと微小共振器形成(19360137)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2007 - 2009
【研究代表者】秩父 重英 東北大学, 多元物質科学研究所, 教授 (80266907)
【キーワード】電気・電子材料 / 微小共振器 / 励起子 / 励起子ポラリトン / 酸化亜鉛 (他7件)
【概要】微小共振器ポラリトンレーザは新たな原理によるコヒーレント光源として興味深い。本研究では、独自のヘリコン波励起プラズマスパッタ法により、酸化亜鉛をベースとする微小共振器構築に必須な酸化マグネシウム亜鉛系半導体のエピタキシャル成長を行った。また、誘電体及び導電性分布ブラッグ反射鏡の設計と作製を行い、新規導電性酸化膜(アナターゼ相ニオブ添加酸化チタン)のエピタキシャル成長にも成功した。安価なスパッタ技術...
【工学】電気電子工学：ヘテロ界面 ／酸化亜鉛を含む研究件
❏酸化物半導体を用いた磁性量子井戸の形成と磁気光学効果の観測(21760230)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】若手研究(B)
【研究期間】2009 - 2010
【研究代表者】松井 裕章 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助教 (80397752)
【キーワード】磁気光学 / 量子井戸 / 円偏光性 / 酸化亜鉛 / ヘテロ界面 (他18件)
【概要】本研究では、量子井戸構造に立脚した磁気光学材料の創成を目指す。ZnO及びZnCoOを井戸及び障壁層とし、磁性イオンと励起子を空間分離したZnCoO/ZnO量子井戸を作製した。ZnCoOは、ZnOに対し量子障壁層として働き、s,p-d交換相互作用を示す。更に、Zn0.90Co0.10/ZnOのヘテロ界面のバンドオフセットは、160meVである。X線回折から、良質な超格子構造の形成を確認した。量子井戸...
❏表面ナノ構造体によるヘテロ界面構造の変調とその電子、磁気機能(18760231)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】若手研究(B)
【研究期間】2006 - 2007
【研究代表者】松井 裕章 大阪大学, ナノサイエンス・ナノチクロジー研究推進機構, 特任助教 (80397752)
【キーワード】酸化亜鉛(ZnO) / 非極性成長 / 1次元表面ナノ細線構造 / ヘテロ界面 / 低温電子輸送 (他13件)
【概要】本年度における研究は、表面ナノ構造をテンプレートとして、その上に、量子ヘテロ界面を形成し、低温域における量子伝導を観測する。ナノ細線構造の局所結晶構造は透過電子顕微鏡(TEM)を用いて同定された。平面TEM観察から、面内方向に転位の導入は見られない。ZnOの非極性は、異方的な原子配列を有し、薄膜成長中は、異方的な表面拡散が生じる。そして、表面ナノ細線は、シュワベールバリア効果によってボトムアップ的...
❏異種酸化物結晶間のナノ空間制御による分子認識素子の設計(13650878)
【研究テーマ】工業物理化学
【研究種目】基盤研究(C)
【研究期間】2001 - 2002
【研究代表者】中村 吉伸 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助手 (30198254)
【キーワード】STM / 酸化銅 / 酸化亜鉛 / 酵素 / ナノ空間 (他17件)
【概要】本研究ではガス分子との反応・吸着などの相互作用が期待できる2種類の半導性酸化物結晶(CuOおよびZnO)を原子スケールで近接させてナノ空間を設定し、その空間に被検分子(直鎖アルコール)がとらえられることにより、酸化物(CuO)-気体分子-酸化物(ZnO)間相互作用を両半導性物質間のトンネル電流として計測することにより電気信号に変換し、生体系類似の分子の形状を認識しうるセンサー構成に成功した。0.1...
【工学】電気電子工学：酸化物エレクトロニクス ／酸化亜鉛を含む研究件
❏酸化亜鉛薄膜の界面制御と透明トランジスタの作製(13450123)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2001 - 2002
【研究代表者】川崎 雅司 東北大, 金属材料研究所, 教授 (90211862)
【キーワード】酸化亜鉛 / 透明酸化物半導体 / トランジスタ / ヂバイス界面 / 電界効果 (他8件)
【概要】今までの経験から酸化亜鉛薄膜は高温成長すると結晶性の優れたものができることが分かっているが、産業応用上は、絶縁層を積層することもあって、プラスチックやガラス基板上に低温で薄膜を成長することが必要になる。そこで、酸化亜鉛/ゲート絶縁層/ガラス基板というボルトゲート構造のトランジスタを作製し、移動度やリーク特性といったトランジスタ特性が優れているトランジスタ作製条件を探索した。その結果、プロセス温度の...
❏酸化物新物質の創製と機能の探索(08044135)
【研究テーマ】無機工業化学
【研究種目】国際学術研究
【研究期間】1996 - 1998
【研究代表者】山内 尚雄 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 教授 (50271581)
【キーワード】超伝導 / ホール分布 / 不可逆磁場 / 短寿命125K級超伝導体 / “水"を含む高磁場超伝導体 (他22件)
【概要】共同研究のパートナーであるヘルシンキ工科大のProf.NiinistoとDr.Karppinenとは、高温超伝導物質結晶内のキャリア分布と超伝導特性の向上に関する実験および結果の検討を行った。ペンシルバニア州立大のProf.Schlomとは酸化物の薄膜形成と電子機能について討論した。1998年11月12〜13日には、"International Workshop on Chemical D...
【工学】電気電子工学：紫外線発光 ／酸化亜鉛を含む研究件
❏弗化物/酸化物ハイブリッド単結晶ヘテロナノ構造の創製とフォトニクス素子への応用(13650336)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】基盤研究(C)
【研究期間】2001 - 2002
【研究代表者】渡辺 正裕 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助教授 (00251637)
【キーワード】酸化亜鉛 / シリコン / 弗化カルシウム / エピタキシャル成長 / 紫外線発光 (他10件)
【概要】本研究では、次世代の光・電子融合集積システムの基盤となる材料として、シリコン基板上にエピタキシャル成長可能な弗化物系化合物弗化カルシウム(CaF_2)ならびに直接遷移型ワイドギャップ半導体酸化亜鉛(ZnO)およびBeZnSeで構成される人工ヘテロ構造を提案し、この材料構成を用いたナノメートルサイズの人工単結晶ヘテロ構造の創製と、その量子構造制御によるフォトニクス素子への応用,特に紫外線レーザを視野...
❏単結晶絶縁体中に形成したナノ微結晶ヘテロ構造を用いたシリコン基板上発光素子の研究(11650315)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】基盤研究(C)
【研究期間】1999 - 2000
【研究代表者】渡辺 正裕 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科・物理情報システム創造専攻, 助教授 (00251637)
【キーワード】酸化亜鉛 / シリコン / 弗化カルシウム / エピタキシャル成長 / 紫外線発光 (他12件)
【概要】本研究は、シリコン基板上にエピタキシャル結晶形成可能な絶縁体及び半導体超格子を用いた発光・受光デバイスを実現するための基礎研究として、これまで報告者らにより実現されたシリコン基板上へのナノクリスタル酸化亜鉛(ZnO)/弗化カルシウム(CaF_2)ヘテロ構造形成技術を確立し、さらに、その新しい材料系の光物性を明らかにするとともに、発光素子応用への基礎となる実験的・理論的研究を目的とする。この目的を達...
【工学】電気電子工学：希薄磁性半導体 ／酸化亜鉛を含む研究件
❏酸化物半導体を用いた磁性量子井戸の形成と磁気光学効果の観測(21760230)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】若手研究(B)
【研究期間】2009 - 2010
【研究代表者】松井 裕章 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助教 (80397752)
【キーワード】磁気光学 / 量子井戸 / 円偏光性 / 酸化亜鉛 / ヘテロ界面 (他18件)
【概要】本研究では、量子井戸構造に立脚した磁気光学材料の創成を目指す。ZnO及びZnCoOを井戸及び障壁層とし、磁性イオンと励起子を空間分離したZnCoO/ZnO量子井戸を作製した。ZnCoOは、ZnOに対し量子障壁層として働き、s,p-d交換相互作用を示す。更に、Zn0.90Co0.10/ZnOのヘテロ界面のバンドオフセットは、160meVである。X線回折から、良質な超格子構造の形成を確認した。量子井戸...
❏遷移金属元素ドープ酸化亜鉛エピタキシャル薄膜における新機能探索(11875138)
【研究テーマ】無機材料・物性
【研究種目】萌芽的研究
【研究期間】1999 - 2000
【研究代表者】川崎 雅司 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助教授 (90211862)
【キーワード】酸化亜鉛 / 酸化物半導体 / 希薄磁性半導体 / 遷移金属 / 室温強磁性 (他12件)
【概要】既存のパルスレーザー堆積装置を改良して、コンピューターにより複数の異なるターゲットを交互にレーザーでアブレーションして組成を自動制御することが可能になった。その手法で酸化亜鉛にMnをドープしたエピタキシャル薄膜を作製して、結晶構造・光吸収・磁気抵抗測定の結果から、世界ではじめて酸化物ベースのII-VI族希薄磁性半導体であることを検証した[T.Fukumura et al.,Appl.Phys.Le...
【工学】電気電子工学：Zn極性成長 ／酸化亜鉛を含む研究件
❏酸化物半導体を用いた磁性量子井戸の形成と磁気光学効果の観測(21760230)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】若手研究(B)
【研究期間】2009 - 2010
【研究代表者】松井 裕章 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助教 (80397752)
【キーワード】磁気光学 / 量子井戸 / 円偏光性 / 酸化亜鉛 / ヘテロ界面 (他18件)
【概要】本研究では、量子井戸構造に立脚した磁気光学材料の創成を目指す。ZnO及びZnCoOを井戸及び障壁層とし、磁性イオンと励起子を空間分離したZnCoO/ZnO量子井戸を作製した。ZnCoOは、ZnOに対し量子障壁層として働き、s,p-d交換相互作用を示す。更に、Zn0.90Co0.10/ZnOのヘテロ界面のバンドオフセットは、160meVである。X線回折から、良質な超格子構造の形成を確認した。量子井戸...
❏表面ナノ構造体によるヘテロ界面構造の変調とその電子、磁気機能(18760231)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】若手研究(B)
【研究期間】2006 - 2007
【研究代表者】松井 裕章 大阪大学, ナノサイエンス・ナノチクロジー研究推進機構, 特任助教 (80397752)
【キーワード】酸化亜鉛(ZnO) / 非極性成長 / 1次元表面ナノ細線構造 / ヘテロ界面 / 低温電子輸送 (他13件)
【概要】本年度における研究は、表面ナノ構造をテンプレートとして、その上に、量子ヘテロ界面を形成し、低温域における量子伝導を観測する。ナノ細線構造の局所結晶構造は透過電子顕微鏡(TEM)を用いて同定された。平面TEM観察から、面内方向に転位の導入は見られない。ZnOの非極性は、異方的な原子配列を有し、薄膜成長中は、異方的な表面拡散が生じる。そして、表面ナノ細線は、シュワベールバリア効果によってボトムアップ的...
【工学】電気電子工学：スパッタ法 ／酸化亜鉛を含む研究件
❏弗化物/酸化物ハイブリッド単結晶ヘテロナノ構造の創製とフォトニクス素子への応用(13650336)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】基盤研究(C)
【研究期間】2001 - 2002
【研究代表者】渡辺 正裕 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助教授 (00251637)
【キーワード】酸化亜鉛 / シリコン / 弗化カルシウム / エピタキシャル成長 / 紫外線発光 (他10件)
【概要】本研究では、次世代の光・電子融合集積システムの基盤となる材料として、シリコン基板上にエピタキシャル成長可能な弗化物系化合物弗化カルシウム(CaF_2)ならびに直接遷移型ワイドギャップ半導体酸化亜鉛(ZnO)およびBeZnSeで構成される人工ヘテロ構造を提案し、この材料構成を用いたナノメートルサイズの人工単結晶ヘテロ構造の創製と、その量子構造制御によるフォトニクス素子への応用,特に紫外線レーザを視野...
❏単結晶絶縁体中に形成したナノ微結晶ヘテロ構造を用いたシリコン基板上発光素子の研究(11650315)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】基盤研究(C)
【研究期間】1999 - 2000
【研究代表者】渡辺 正裕 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科・物理情報システム創造専攻, 助教授 (00251637)
【キーワード】酸化亜鉛 / シリコン / 弗化カルシウム / エピタキシャル成長 / 紫外線発光 (他12件)
【概要】本研究は、シリコン基板上にエピタキシャル結晶形成可能な絶縁体及び半導体超格子を用いた発光・受光デバイスを実現するための基礎研究として、これまで報告者らにより実現されたシリコン基板上へのナノクリスタル酸化亜鉛(ZnO)/弗化カルシウム(CaF_2)ヘテロ構造形成技術を確立し、さらに、その新しい材料系の光物性を明らかにするとともに、発光素子応用への基礎となる実験的・理論的研究を目的とする。この目的を達...
【工学】電気電子工学：分子線エピタキシー(MBE) ／酸化亜鉛を含む研究件
❏酸化亜鉛の価電子制御とp-n接合発光素子の作製(11450007)
【研究テーマ】応用物性・結晶工学
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】1999 - 2000
【研究代表者】川崎 雅司 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助教授 (90211862)
【キーワード】酸化亜鉛薄膜 / エピタキシャル成長 / レーザーMBE / 格子整合基板 / 酸化亜鉛超格子薄膜 (他16件)
【概要】酸化亜鉛薄膜を原子レベルで平坦なサファイア基板c面上にレーザーMBEで成膜することによって、エピタキシャル成長を行うことができ、面内の配向や表面の極性の制御も実現した[I.Ohkubo et al.,Surf.Sci.Lett.443,L1043(1999)]。その結果、化合物半導体超格子と同レベルの品質を持つZnO/MgZnO超格子が作製でき、量子効果によるギャップのブルーシフトが観察された[A...
❏酸化物新物質の創製と機能の探索(08044135)
【研究テーマ】無機工業化学
【研究種目】国際学術研究
【研究期間】1996 - 1998
【研究代表者】山内 尚雄 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 教授 (50271581)
【キーワード】超伝導 / ホール分布 / 不可逆磁場 / 短寿命125K級超伝導体 / “水"を含む高磁場超伝導体 (他22件)
【概要】共同研究のパートナーであるヘルシンキ工科大のProf.NiinistoとDr.Karppinenとは、高温超伝導物質結晶内のキャリア分布と超伝導特性の向上に関する実験および結果の検討を行った。ペンシルバニア州立大のProf.Schlomとは酸化物の薄膜形成と電子機能について討論した。1998年11月12〜13日には、"International Workshop on Chemical D...
【工学】電気電子工学：原子層エピタキシー ／酸化亜鉛を含む研究件
❏強誘電体/半導体ハイブリッド格子界面の作成と評価(08455295)
【研究テーマ】無機材料・物性
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】1996 - 1997
【研究代表者】鶴見 敬章 東京工業大学, 工学部, 助教授 (70188647)
【キーワード】原子層エピタキシ- / 強誘電体 / 人工変調構造 / チタン酸バリウム / チタン酸ストロンチウム (他10件)
【概要】本研究は、酸化物(強誘電体)/半導体ハイブリット格子界面を作製し、それを有するヘテロ構造の性質を明らかにすることを目的としている。研究の結果得られた成果を以下にまとめる。 1)水素終端化処理したシリコン(111)基板上に、酸化ストロンチウムを分子線エピタキシ-(MBE)法で蒸着し、エピタキシャル成長に成功するとともに、水素終端化の有効性を明らかにした。 2)成膜プロセスを完全に自動化したMBE成膜...
❏酸化物新物質の創製と機能の探索(08044135)
【研究テーマ】無機工業化学
【研究種目】国際学術研究
【研究期間】1996 - 1998
【研究代表者】山内 尚雄 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 教授 (50271581)
【キーワード】超伝導 / ホール分布 / 不可逆磁場 / 短寿命125K級超伝導体 / “水"を含む高磁場超伝導体 (他22件)
【概要】共同研究のパートナーであるヘルシンキ工科大のProf.NiinistoとDr.Karppinenとは、高温超伝導物質結晶内のキャリア分布と超伝導特性の向上に関する実験および結果の検討を行った。ペンシルバニア州立大のProf.Schlomとは酸化物の薄膜形成と電子機能について討論した。1998年11月12〜13日には、"International Workshop on Chemical D...
【工学】電気電子工学：強磁性 ／酸化亜鉛を含む研究件
❏表面ナノ構造体によるヘテロ界面構造の変調とその電子、磁気機能(18760231)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】若手研究(B)
【研究期間】2006 - 2007
【研究代表者】松井 裕章 大阪大学, ナノサイエンス・ナノチクロジー研究推進機構, 特任助教 (80397752)
【キーワード】酸化亜鉛(ZnO) / 非極性成長 / 1次元表面ナノ細線構造 / ヘテロ界面 / 低温電子輸送 (他13件)
【概要】本年度における研究は、表面ナノ構造をテンプレートとして、その上に、量子ヘテロ界面を形成し、低温域における量子伝導を観測する。ナノ細線構造の局所結晶構造は透過電子顕微鏡(TEM)を用いて同定された。平面TEM観察から、面内方向に転位の導入は見られない。ZnOの非極性は、異方的な原子配列を有し、薄膜成長中は、異方的な表面拡散が生じる。そして、表面ナノ細線は、シュワベールバリア効果によってボトムアップ的...
❏遷移金属元素ドープ酸化亜鉛エピタキシャル薄膜における新機能探索(11875138)
【研究テーマ】無機材料・物性
【研究種目】萌芽的研究
【研究期間】1999 - 2000
【研究代表者】川崎 雅司 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助教授 (90211862)
【キーワード】酸化亜鉛 / 酸化物半導体 / 希薄磁性半導体 / 遷移金属 / 室温強磁性 (他12件)
【概要】既存のパルスレーザー堆積装置を改良して、コンピューターにより複数の異なるターゲットを交互にレーザーでアブレーションして組成を自動制御することが可能になった。その手法で酸化亜鉛にMnをドープしたエピタキシャル薄膜を作製して、結晶構造・光吸収・磁気抵抗測定の結果から、世界ではじめて酸化物ベースのII-VI族希薄磁性半導体であることを検証した[T.Fukumura et al.,Appl.Phys.Le...
【工学】電気電子工学：微小共振器 ／酸化亜鉛を含む研究件
❏室温動作ポラリトンレーザ構造のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシャル形成(22246037)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】基盤研究(A)
【研究期間】2010-04-01 - 2014-03-31
【研究代表者】秩父 重英 東北大学, 多元物質科学研究所, 教授 (80266907)
【キーワード】電子・電気材料 / ヘリコン波励起プラズマスパッタ / 微小共振器 / 励起子 / 励起子ポラリトン (他9件)
【概要】半導体中の励起子と微小共振器の光モードの強結合によりコヒーレント光を得る微小共振器結合励起子ポラリトンレーザは、新たな原理による低閾値コヒーレント光源として興味深い。本研究では、報告者の独自技術でありスパッタ法でありながら高品位半導体エピタキシャル成長が可能な「ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー法」を用い、室温動作の可能性が高い、酸化亜鉛活性層を分布ブラッグ反射鏡で挟む微小共振器構造を形成...
❏ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による酸化亜鉛エピタキシーと微小共振器形成(19360137)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2007 - 2009
【研究代表者】秩父 重英 東北大学, 多元物質科学研究所, 教授 (80266907)
【キーワード】電気・電子材料 / 微小共振器 / 励起子 / 励起子ポラリトン / 酸化亜鉛 (他7件)
【概要】微小共振器ポラリトンレーザは新たな原理によるコヒーレント光源として興味深い。本研究では、独自のヘリコン波励起プラズマスパッタ法により、酸化亜鉛をベースとする微小共振器構築に必須な酸化マグネシウム亜鉛系半導体のエピタキシャル成長を行った。また、誘電体及び導電性分布ブラッグ反射鏡の設計と作製を行い、新規導電性酸化膜(アナターゼ相ニオブ添加酸化チタン)のエピタキシャル成長にも成功した。安価なスパッタ技術...
【工学】電気電子工学：ZnO ／酸化亜鉛を含む研究件
❏酸化物半導体を用いた磁性量子井戸の形成と磁気光学効果の観測(21760230)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】若手研究(B)
【研究期間】2009 - 2010
【研究代表者】松井 裕章 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助教 (80397752)
【キーワード】磁気光学 / 量子井戸 / 円偏光性 / 酸化亜鉛 / ヘテロ界面 (他18件)
【概要】本研究では、量子井戸構造に立脚した磁気光学材料の創成を目指す。ZnO及びZnCoOを井戸及び障壁層とし、磁性イオンと励起子を空間分離したZnCoO/ZnO量子井戸を作製した。ZnCoOは、ZnOに対し量子障壁層として働き、s,p-d交換相互作用を示す。更に、Zn0.90Co0.10/ZnOのヘテロ界面のバンドオフセットは、160meVである。X線回折から、良質な超格子構造の形成を確認した。量子井戸...
❏表面ナノ構造体によるヘテロ界面構造の変調とその電子、磁気機能(18760231)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】若手研究(B)
【研究期間】2006 - 2007
【研究代表者】松井 裕章 大阪大学, ナノサイエンス・ナノチクロジー研究推進機構, 特任助教 (80397752)
【キーワード】酸化亜鉛(ZnO) / 非極性成長 / 1次元表面ナノ細線構造 / ヘテロ界面 / 低温電子輸送 (他13件)
【概要】本年度における研究は、表面ナノ構造をテンプレートとして、その上に、量子ヘテロ界面を形成し、低温域における量子伝導を観測する。ナノ細線構造の局所結晶構造は透過電子顕微鏡(TEM)を用いて同定された。平面TEM観察から、面内方向に転位の導入は見られない。ZnOの非極性は、異方的な原子配列を有し、薄膜成長中は、異方的な表面拡散が生じる。そして、表面ナノ細線は、シュワベールバリア効果によってボトムアップ的...
❏異種酸化物結晶間のナノ空間制御による分子認識素子の設計(13650878)
【研究テーマ】工業物理化学
【研究種目】基盤研究(C)
【研究期間】2001 - 2002
【研究代表者】中村 吉伸 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助手 (30198254)
【キーワード】STM / 酸化銅 / 酸化亜鉛 / 酵素 / ナノ空間 (他17件)
【概要】本研究ではガス分子との反応・吸着などの相互作用が期待できる2種類の半導性酸化物結晶(CuOおよびZnO)を原子スケールで近接させてナノ空間を設定し、その空間に被検分子(直鎖アルコール)がとらえられることにより、酸化物(CuO)-気体分子-酸化物(ZnO)間相互作用を両半導性物質間のトンネル電流として計測することにより電気信号に変換し、生体系類似の分子の形状を認識しうるセンサー構成に成功した。0.1...
【工学】電気電子工学：エピタキシャル成長 ／酸化亜鉛を含む研究件
❏弗化物/酸化物ハイブリッド単結晶ヘテロナノ構造の創製とフォトニクス素子への応用(13650336)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】基盤研究(C)
【研究期間】2001 - 2002
【研究代表者】渡辺 正裕 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助教授 (00251637)
【キーワード】酸化亜鉛 / シリコン / 弗化カルシウム / エピタキシャル成長 / 紫外線発光 (他10件)
【概要】本研究では、次世代の光・電子融合集積システムの基盤となる材料として、シリコン基板上にエピタキシャル成長可能な弗化物系化合物弗化カルシウム(CaF_2)ならびに直接遷移型ワイドギャップ半導体酸化亜鉛(ZnO)およびBeZnSeで構成される人工ヘテロ構造を提案し、この材料構成を用いたナノメートルサイズの人工単結晶ヘテロ構造の創製と、その量子構造制御によるフォトニクス素子への応用,特に紫外線レーザを視野...
❏酸化亜鉛の価電子制御とp-n接合発光素子の作製(11450007)
【研究テーマ】応用物性・結晶工学
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】1999 - 2000
【研究代表者】川崎 雅司 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助教授 (90211862)
【キーワード】酸化亜鉛薄膜 / エピタキシャル成長 / レーザーMBE / 格子整合基板 / 酸化亜鉛超格子薄膜 (他16件)
【概要】酸化亜鉛薄膜を原子レベルで平坦なサファイア基板c面上にレーザーMBEで成膜することによって、エピタキシャル成長を行うことができ、面内の配向や表面の極性の制御も実現した[I.Ohkubo et al.,Surf.Sci.Lett.443,L1043(1999)]。その結果、化合物半導体超格子と同レベルの品質を持つZnO/MgZnO超格子が作製でき、量子効果によるギャップのブルーシフトが観察された[A...
❏単結晶絶縁体中に形成したナノ微結晶ヘテロ構造を用いたシリコン基板上発光素子の研究(11650315)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】基盤研究(C)
【研究期間】1999 - 2000
【研究代表者】渡辺 正裕 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科・物理情報システム創造専攻, 助教授 (00251637)
【キーワード】酸化亜鉛 / シリコン / 弗化カルシウム / エピタキシャル成長 / 紫外線発光 (他12件)
【概要】本研究は、シリコン基板上にエピタキシャル結晶形成可能な絶縁体及び半導体超格子を用いた発光・受光デバイスを実現するための基礎研究として、これまで報告者らにより実現されたシリコン基板上へのナノクリスタル酸化亜鉛(ZnO)/弗化カルシウム(CaF_2)ヘテロ構造形成技術を確立し、さらに、その新しい材料系の光物性を明らかにするとともに、発光素子応用への基礎となる実験的・理論的研究を目的とする。この目的を達...
【工学】土木工学：フッ化カルシウム ／酸化亜鉛を含む研究件
❏弗化物/酸化物ハイブリッド単結晶ヘテロナノ構造の創製とフォトニクス素子への応用(13650336)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】基盤研究(C)
【研究期間】2001 - 2002
【研究代表者】渡辺 正裕 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助教授 (00251637)
【キーワード】酸化亜鉛 / シリコン / 弗化カルシウム / エピタキシャル成長 / 紫外線発光 (他10件)
【概要】本研究では、次世代の光・電子融合集積システムの基盤となる材料として、シリコン基板上にエピタキシャル成長可能な弗化物系化合物弗化カルシウム(CaF_2)ならびに直接遷移型ワイドギャップ半導体酸化亜鉛(ZnO)およびBeZnSeで構成される人工ヘテロ構造を提案し、この材料構成を用いたナノメートルサイズの人工単結晶ヘテロ構造の創製と、その量子構造制御によるフォトニクス素子への応用,特に紫外線レーザを視野...
❏単結晶絶縁体中に形成したナノ微結晶ヘテロ構造を用いたシリコン基板上発光素子の研究(11650315)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】基盤研究(C)
【研究期間】1999 - 2000
【研究代表者】渡辺 正裕 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科・物理情報システム創造専攻, 助教授 (00251637)
【キーワード】酸化亜鉛 / シリコン / 弗化カルシウム / エピタキシャル成長 / 紫外線発光 (他12件)
【概要】本研究は、シリコン基板上にエピタキシャル結晶形成可能な絶縁体及び半導体超格子を用いた発光・受光デバイスを実現するための基礎研究として、これまで報告者らにより実現されたシリコン基板上へのナノクリスタル酸化亜鉛(ZnO)/弗化カルシウム(CaF_2)ヘテロ構造形成技術を確立し、さらに、その新しい材料系の光物性を明らかにするとともに、発光素子応用への基礎となる実験的・理論的研究を目的とする。この目的を達...
【工学】土木工学：発光ダイオード(LED) ／酸化亜鉛を含む研究件
❏酸化亜鉛電界効果ドーピングと紫外発光素子(15685011)
【研究テーマ】機能材料・デバイス
【研究種目】若手研究(A)
【研究期間】2003 - 2004
【研究代表者】大友 明 東北大学, 金属材料研究所, 助手 (10344722)
【キーワード】酸化亜鉛 / 電界効果トランジスタ / 電子デバイス・機器 / 結晶工学 / 光物性 (他8件)
【概要】本研究の目標は、p型酸化亜鉛の形成技術の確立と紫外発光素子の開発である。第一の目標を電界効果ドーピングによって実現するというのが研究計画の一番大きな特徴であった。しかし、むしろさらに困難であると考えていた不純物ドーピングによって再現性の高いp型酸化亜鉛の作製技術を確立することに成功した(1)。これに続いて、第二の目標である発光素子の開発にも成功した(2)。さらに世界最高移動度(70cm^2/Vs)...
❏配向性酸化亜鉛結晶を基板とした酸化物半導体デバイスの光学的,化学的機能展開(14350357)
【研究テーマ】無機材料・物性
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2002 - 2004
【研究代表者】藤津 悟 湘南工科大学, 工学部, 教授 (20165400)
【キーワード】酸化亜鉛 / ストロンチウム銅酸化物 / 発光 / pn接合 / ガスセンサー (他10件)
【概要】気相輸送法を応用した独自の方法を用いて配向性酸化亜鉛結晶を合成し,これを基板とした酸化物半導体デバイスを作成した。これを用いて以下の3つの研究を展開した。 (1)酸化亜鉛はワイドギャップを持つn型半導体である。これに同じくワイドギャプを持つp型半導体であるSrCu_2O_2をスパッタリング法およびYAGレーザを用いたPLD法により積層した。この組み合わせはすでに薄膜の組み合わせにおいて発光ダイオー...
【工学】構造・機能材料：パルスレーザー堆積法 ／酸化亜鉛を含む研究件
❏酸化物半導体を用いた磁性量子井戸の形成と磁気光学効果の観測(21760230)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】若手研究(B)
【研究期間】2009 - 2010
【研究代表者】松井 裕章 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助教 (80397752)
【キーワード】磁気光学 / 量子井戸 / 円偏光性 / 酸化亜鉛 / ヘテロ界面 (他18件)
【概要】本研究では、量子井戸構造に立脚した磁気光学材料の創成を目指す。ZnO及びZnCoOを井戸及び障壁層とし、磁性イオンと励起子を空間分離したZnCoO/ZnO量子井戸を作製した。ZnCoOは、ZnOに対し量子障壁層として働き、s,p-d交換相互作用を示す。更に、Zn0.90Co0.10/ZnOのヘテロ界面のバンドオフセットは、160meVである。X線回折から、良質な超格子構造の形成を確認した。量子井戸...
❏酸化亜鉛の価電子制御とp-n接合発光素子の作製(11450007)
【研究テーマ】応用物性・結晶工学
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】1999 - 2000
【研究代表者】川崎 雅司 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助教授 (90211862)
【キーワード】酸化亜鉛薄膜 / エピタキシャル成長 / レーザーMBE / 格子整合基板 / 酸化亜鉛超格子薄膜 (他16件)
【概要】酸化亜鉛薄膜を原子レベルで平坦なサファイア基板c面上にレーザーMBEで成膜することによって、エピタキシャル成長を行うことができ、面内の配向や表面の極性の制御も実現した[I.Ohkubo et al.,Surf.Sci.Lett.443,L1043(1999)]。その結果、化合物半導体超格子と同レベルの品質を持つZnO/MgZnO超格子が作製でき、量子効果によるギャップのブルーシフトが観察された[A...
❏遷移金属元素ドープ酸化亜鉛エピタキシャル薄膜における新機能探索(11875138)
【研究テーマ】無機材料・物性
【研究種目】萌芽的研究
【研究期間】1999 - 2000
【研究代表者】川崎 雅司 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助教授 (90211862)
【キーワード】酸化亜鉛 / 酸化物半導体 / 希薄磁性半導体 / 遷移金属 / 室温強磁性 (他12件)
【概要】既存のパルスレーザー堆積装置を改良して、コンピューターにより複数の異なるターゲットを交互にレーザーでアブレーションして組成を自動制御することが可能になった。その手法で酸化亜鉛にMnをドープしたエピタキシャル薄膜を作製して、結晶構造・光吸収・磁気抵抗測定の結果から、世界ではじめて酸化物ベースのII-VI族希薄磁性半導体であることを検証した[T.Fukumura et al.,Appl.Phys.Le...
【工学】構造・機能材料：エピタキシー ／酸化亜鉛を含む研究件
❏室温動作ポラリトンレーザ構造のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシャル形成(22246037)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】基盤研究(A)
【研究期間】2010-04-01 - 2014-03-31
【研究代表者】秩父 重英 東北大学, 多元物質科学研究所, 教授 (80266907)
【キーワード】電子・電気材料 / ヘリコン波励起プラズマスパッタ / 微小共振器 / 励起子 / 励起子ポラリトン (他9件)
【概要】半導体中の励起子と微小共振器の光モードの強結合によりコヒーレント光を得る微小共振器結合励起子ポラリトンレーザは、新たな原理による低閾値コヒーレント光源として興味深い。本研究では、報告者の独自技術でありスパッタ法でありながら高品位半導体エピタキシャル成長が可能な「ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー法」を用い、室温動作の可能性が高い、酸化亜鉛活性層を分布ブラッグ反射鏡で挟む微小共振器構造を形成...
❏ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による酸化亜鉛エピタキシーと微小共振器形成(19360137)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2007 - 2009
【研究代表者】秩父 重英 東北大学, 多元物質科学研究所, 教授 (80266907)
【キーワード】電気・電子材料 / 微小共振器 / 励起子 / 励起子ポラリトン / 酸化亜鉛 (他7件)
【概要】微小共振器ポラリトンレーザは新たな原理によるコヒーレント光源として興味深い。本研究では、独自のヘリコン波励起プラズマスパッタ法により、酸化亜鉛をベースとする微小共振器構築に必須な酸化マグネシウム亜鉛系半導体のエピタキシャル成長を行った。また、誘電体及び導電性分布ブラッグ反射鏡の設計と作製を行い、新規導電性酸化膜(アナターゼ相ニオブ添加酸化チタン)のエピタキシャル成長にも成功した。安価なスパッタ技術...
【工学】構造・機能材料：ガスセンサー ／酸化亜鉛を含む研究件
❏配向性酸化亜鉛結晶を基板とした酸化物半導体デバイスの光学的,化学的機能展開(14350357)
【研究テーマ】無機材料・物性
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2002 - 2004
【研究代表者】藤津 悟 湘南工科大学, 工学部, 教授 (20165400)
【キーワード】酸化亜鉛 / ストロンチウム銅酸化物 / 発光 / pn接合 / ガスセンサー (他10件)
【概要】気相輸送法を応用した独自の方法を用いて配向性酸化亜鉛結晶を合成し,これを基板とした酸化物半導体デバイスを作成した。これを用いて以下の3つの研究を展開した。 (1)酸化亜鉛はワイドギャップを持つn型半導体である。これに同じくワイドギャプを持つp型半導体であるSrCu_2O_2をスパッタリング法およびYAGレーザを用いたPLD法により積層した。この組み合わせはすでに薄膜の組み合わせにおいて発光ダイオー...
❏高温動作型半導体デバイスのための酸化物半導体接合の設計(06453076)
【研究テーマ】無機材料・物性
【研究種目】一般研究(B)
【研究期間】1994 - 1995
【研究代表者】柳田 博明 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (20010754)
【キーワード】ヘテロ接合 / 酸化銅 / 酸化亜鉛 / 整流性 / 固溶体 (他13件)
【概要】酸化銅、酸化亜鉛のスパッタリング膜の連続製膜およびCuO、ZnO圧粉体の同時成型焼成の2種類の方法でCuO/ZnOヘテロ接合を作成した。薄膜型CuO/ZnOヘテロ接合は480Kの高温まで良好な整流特性を示した。このヘテロ接合は界面容量が電圧に依存せず、p-i-n接合の形成が予想される。薄膜型CuO/ZnOヘテロ接合は673Kの空気中の熱処理により整流性が破壊された。等温過渡容量法(ICTS)により...
【工学】総合工学：シリコン ／酸化亜鉛を含む研究件
❏弗化物/酸化物ハイブリッド単結晶ヘテロナノ構造の創製とフォトニクス素子への応用(13650336)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】基盤研究(C)
【研究期間】2001 - 2002
【研究代表者】渡辺 正裕 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助教授 (00251637)
【キーワード】酸化亜鉛 / シリコン / 弗化カルシウム / エピタキシャル成長 / 紫外線発光 (他10件)
【概要】本研究では、次世代の光・電子融合集積システムの基盤となる材料として、シリコン基板上にエピタキシャル成長可能な弗化物系化合物弗化カルシウム(CaF_2)ならびに直接遷移型ワイドギャップ半導体酸化亜鉛(ZnO)およびBeZnSeで構成される人工ヘテロ構造を提案し、この材料構成を用いたナノメートルサイズの人工単結晶ヘテロ構造の創製と、その量子構造制御によるフォトニクス素子への応用,特に紫外線レーザを視野...
❏単結晶絶縁体中に形成したナノ微結晶ヘテロ構造を用いたシリコン基板上発光素子の研究(11650315)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】基盤研究(C)
【研究期間】1999 - 2000
【研究代表者】渡辺 正裕 東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科・物理情報システム創造専攻, 助教授 (00251637)
【キーワード】酸化亜鉛 / シリコン / 弗化カルシウム / エピタキシャル成長 / 紫外線発光 (他12件)
【概要】本研究は、シリコン基板上にエピタキシャル結晶形成可能な絶縁体及び半導体超格子を用いた発光・受光デバイスを実現するための基礎研究として、これまで報告者らにより実現されたシリコン基板上へのナノクリスタル酸化亜鉛(ZnO)/弗化カルシウム(CaF_2)ヘテロ構造形成技術を確立し、さらに、その新しい材料系の光物性を明らかにするとともに、発光素子応用への基礎となる実験的・理論的研究を目的とする。この目的を達...
【工学】総合工学：励起子 ／酸化亜鉛を含む研究件
❏室温動作ポラリトンレーザ構造のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシャル形成(22246037)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】基盤研究(A)
【研究期間】2010-04-01 - 2014-03-31
【研究代表者】秩父 重英 東北大学, 多元物質科学研究所, 教授 (80266907)
【キーワード】電子・電気材料 / ヘリコン波励起プラズマスパッタ / 微小共振器 / 励起子 / 励起子ポラリトン (他9件)
【概要】半導体中の励起子と微小共振器の光モードの強結合によりコヒーレント光を得る微小共振器結合励起子ポラリトンレーザは、新たな原理による低閾値コヒーレント光源として興味深い。本研究では、報告者の独自技術でありスパッタ法でありながら高品位半導体エピタキシャル成長が可能な「ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー法」を用い、室温動作の可能性が高い、酸化亜鉛活性層を分布ブラッグ反射鏡で挟む微小共振器構造を形成...
❏ヘリコン波励起プラズマスパッタ法による酸化亜鉛エピタキシーと微小共振器形成(19360137)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2007 - 2009
【研究代表者】秩父 重英 東北大学, 多元物質科学研究所, 教授 (80266907)
【キーワード】電気・電子材料 / 微小共振器 / 励起子 / 励起子ポラリトン / 酸化亜鉛 (他7件)
【概要】微小共振器ポラリトンレーザは新たな原理によるコヒーレント光源として興味深い。本研究では、独自のヘリコン波励起プラズマスパッタ法により、酸化亜鉛をベースとする微小共振器構築に必須な酸化マグネシウム亜鉛系半導体のエピタキシャル成長を行った。また、誘電体及び導電性分布ブラッグ反射鏡の設計と作製を行い、新規導電性酸化膜(アナターゼ相ニオブ添加酸化チタン)のエピタキシャル成長にも成功した。安価なスパッタ技術...
【工学】総合工学：薄膜 ／酸化亜鉛を含む研究件
❏金属酸化物ゲルの外部場温水処理による機能性ナノ微結晶分散薄膜の創製(16360327)
【研究テーマ】無機材料・物性
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2004 - 2005
【研究代表者】松田 厚範 豊橋技術科学大学, 工学部, 助教授 (70295723)
【キーワード】ゾル-ゲル法 / 外部場 / 温水処理 / ナノ微結晶 / 薄膜 (他8件)
【概要】(1)金属酸化物ゲルの組成探索と機構 ・SiO_2-TiO_2系ゲル膜の振動温水処理によって生成するナノシート結晶が層状構造を有するレピドクロサイト型チタン酸であることを明らかにした。得られた薄膜が高い光触媒活性と超親水性・防曇性を示すことを実証した。膜組成依存性では、TiO_2含量が少なくなると、析出するアナターゼの形態が粒状から鋭錘状に変化し、さらにチタン酸シートに変化することがわかった。Ti...
❏酸化亜鉛薄膜の界面制御と透明トランジスタの作製(13450123)
【研究テーマ】電子・電気材料工学
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2001 - 2002
【研究代表者】川崎 雅司 東北大, 金属材料研究所, 教授 (90211862)
【キーワード】酸化亜鉛 / 透明酸化物半導体 / トランジスタ / ヂバイス界面 / 電界効果 (他8件)
【概要】今までの経験から酸化亜鉛薄膜は高温成長すると結晶性の優れたものができることが分かっているが、産業応用上は、絶縁層を積層することもあって、プラスチックやガラス基板上に低温で薄膜を成長することが必要になる。そこで、酸化亜鉛/ゲート絶縁層/ガラス基板というボルトゲート構造のトランジスタを作製し、移動度やリーク特性といったトランジスタ特性が優れているトランジスタ作製条件を探索した。その結果、プロセス温度の...
❏エレクトロセラミックスの化学的誘起粒界形成のダイナミクスのその場観察と形成機構(09450242)
【研究テーマ】無機材料・物性
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】1997 - 1999
【研究代表者】水谷 惟恭 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (60016558)
【キーワード】エレクトロセラミックス / 微構造 / 液相 / 粒界形成ダイナミクス / 薄膜 (他8件)
【概要】粒界に粒とは異なる化学成分をもつ相が存在することはセラミックス焼結体ではよくあることである。特にエレクトロセラミックスの分野では液相焼結による生産が行われる。本研究は粒界層に液相が生成し、粒界相を形成するプロセスに注目し、主に化学的立場から粒界相の形成過程のダイナミクスを研究し、粒界相が液相焼結以外にもエレクトロセラミックスの機能発現や物性変化に関与していることを明らかにしている。 研究は主にZn...
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