【研究分野】薄膜・表面界面物性

【研究領域課題番号】26246022 (KAKENデータベースで見る）

【研究キーワード】

酸化物表面 / 界面 / 走査プローブ顕微鏡 / 走査トンネル顕微鏡 / ペロブスカイト / 二次元電子状態 / 超伝導 / 金属酸化物 / 表面 / 酸化物エレクトロニクス / 薄膜 / 酸化物薄膜 / 表面科学 / 表面・界面物性 / 強相関エレクトロニクス / 強相関電子系 / 超薄膜 / 電気伝導 / 二次元電子 / 酸化物 / 表面・界面

【研究成果の概要】

遷移金属酸化物は、通常の半導体には見られない多彩な機能を示すことから、次世代エレクトロニクス材料として活発な研究が展開されている。近年、酸化物作製技術が急速に発展したことにより、原子レベルで急峻な界面を有する薄膜やヘテロ構造の作製が可能になり、新しい物性・機能が見出されている。このような酸化物薄膜やヘテロ構造が示す機能の探求・解明のためには、酸化物薄膜について、電子状態評価を原子レベル空間分解能で行うことが重要である。
そこで、我々は独自の走査トンネル顕微鏡-成膜装置複合システムを構築し、遷移金属酸化物薄膜表面・界面の原子構造と電子状態に関する研究を進めた。

【研究種目】基盤研究(A)

【研究期間】2014-04-01 - 2018-03-31

【配分額】36,530千円 (直接経費: 28,100千円、間接経費: 8,430千円)

【研究分野】ナノ構造物理

【研究領域課題番号】26246002 (KAKENデータベースで見る）

【研究キーワード】

ナノ材料 / 二次元材料 / シリセン / 薄膜 / 走査プローブ顕微鏡 / 放射光実験 / 角度分解光電子分光 / 表面・界面物性

【研究成果の概要】

基板との相互作用の小さいシリセンを形成すること，また，シリセンの性質を保持した上でその酸化を防止する保護膜を形成することを目的として，二ホウ化ジルコニウム薄膜上シリセンにケイ素，ゲルマニウム，酸化物，窒化物などを蒸着し，シリセンと基板の間の相互作用，シリセンと蒸着物の間の相互作用の性質を明らかにするために，放射光施設における光電子分光を行い，多くの知見を得た．二ホウ化ジルコニウム薄膜上単原子層六方晶窒化ホウ素にケイ素を蒸着し，シリセンの形成を試みた結果，シリセンが窒化ホウ素の下に形成され，窒化ホウ素がシリセンの性質を変えずに酸化防止膜として機能することが実験的に明らかとなった．

【研究種目】基盤研究(A)

【研究期間】2014-04-01 - 2018-03-31

【配分額】40,820千円 (直接経費: 31,400千円、間接経費: 9,420千円)