Discovery Sagaサイレントキーワード俯瞰

[Discovery Saga Top] [Saga Next] [無料公開版Discovery Saga] [Discovery Sagaマスター会員ご案内] [早稲田大学研究Discovery Saga] [産学連携のご案内] [Saga Concept] [会社概要] [お問い合わせ]

Discovery Saga 詳細表示研究者リスト表示ダウンロード（UTF-8 txt)スピントロニクスSaga

スピントロニクスに関するサイレントキーワードホイスラー合金が含まれる科研費採択研究4件

スピントロニクスに関するサイレントキーワードホイスラー合金が含まれる科研費採択研究 4件

スピン偏極陽電子消滅の基礎構築と新奇スピン現象の解明

【研究分野】量子ビーム科学

【研究領域課題番号】24310072 (KAKENデータベースで見る）

【研究キーワード】

スピン / 陽電子 / スピントロニクス / 磁性 / 表面 / ハーフメタル / 原子空孔 / ポジトロニウム / スピン偏極陽電子 / 電子運動量分布 / 陽電子消滅寿命 / 電子スピン / 強磁性体 / 電流誘起スピン蓄積 / ラシュバ効果 / 原子空孔誘起強磁性 / ホイスラー合金 / 原sに空孔誘起強磁性 / 陽電子消滅 / スピン偏極 / 陽電子ビーム / 表面磁性 / 第一原理計算

【研究成果の概要】

3d及び4f強磁性金属のスピン偏極陽電子消滅実験を通じて、その手法の基礎を構築した。さらにその応用研究の結果、(i)ホイスラー合金Co2MnSiとNiMnSbが高いハーフメタル性を持っていること、(ii)Pd,Pt,Ta,W及びBi/Ag最表面において電流駆動によるスピン偏極が起こること、(ii)ZnOとSnO2中のカチオン空孔に外部磁場で揃う磁気モーメントが付随すること、などを見出した。

【研究代表者】

河裾厚男独立行政法人日本原子力研究開発機構原子力科学研究部門先端基礎研究センター研究員 (Kakenデータベース)

【研究種目】基盤研究(B)

【研究期間】2012-04-01 - 2015-03-31

【配分額】14,170千円 (直接経費: 10,900千円、間接経費: 3,270千円)

【研究分担者】
前川雅樹	独立行政法人日本原子力研究開発機構	原子力科学研究部門先端基礎研究センター	研究員	(Kakenデータベース)
深谷有喜	独立行政法人日本原子力研究開発機構	原子力科学研究部門先端基礎研究センター	研究員	(Kakenデータベース)

【研究連携者】
境誠司	独立行政法人日本原子力研究開発機構	原子力科学研究部門先端基礎研究センター	研究主幹	(Kakenデータベース)
齊藤英治	東北大学	金属材料研究所	教授	(Kakenデータベース)

強磁性ハーフメタル／ダイヤモンド半導体ヘテロ接合を用いた新規スピンデバイスの開発
【研究分野】電子・電気材料工学
【研究領域課題番号】24560372 (KAKENデータベースで見る）
【研究キーワード】

スピントロニクス / 半導体 / ダイヤモンド / ハーフメタル / ホイスラー / スピンデバイス / スピン注入 / ショットキー / 強磁性 / ダイヤモンド半導体 / ホイスラー合金 / スピントランジスタ / ショットキー接合
【研究成果の概要】

本研究ではスピントランジスタの実現の為の最重要課題である強磁性体から半導体への高効率スピン注入に関して、長スピン拡散長等の優れた特徴を持つダイヤモンド半導体と強磁性ハーフメタルCo2MnSi(CMS)を組合せて達成する試みを行った。研究成果として、高効率スピン注入に必須となる急峻なハーフメタルCMS/ダイヤモンド半導体界面が～300℃でのCMSの低温成長により得られる事を明らかにし、CMS/高濃度不純物ドープダイヤモンド接合を用いた３端子ハンル測定によりスピン注入由来と思われる信号を得た。スピン緩和時間は～7nsと見積もられたが、高不純物ドープ半導体を用いている事を考慮すると大きな値である。
【研究代表者】

植田研二名古屋大学工学(系)研究科(研究院) 准教授 (Kakenデータベース)
【研究種目】基盤研究(C)
【研究期間】2012-04-01 - 2015-03-31
【配分額】5,330千円 (直接経費: 4,100千円、間接経費: 1,230千円)

ダイヤモンド半導体/強磁性体ハイブリッド構造による新規スピンデバイスの創製
【研究分野】電子デバイス・電子機器
【研究領域課題番号】22760250 (KAKENデータベースで見る）
【研究キーワード】

量子デバイス・スピンデバイス / ダイヤモンド / ダイヤモンド半導体 / 強磁性 / スピン注入 / スピンデバイス / ハーフメタル / ショットキー接合 / スピントロニクス / 強磁性体 / ホイスラー合金
【研究成果の概要】

本研究では、ダイヤモンド半導体と強磁性体を融合する事により、新規スピンデバイスを作製する事を目的とした。その結果、以下の3つの重要な成果を得た。
(1)ダイヤモンド上で強磁性ホイスラーハーフメタル(Co_2MnSi)がエピタキシャル成長する事を初めて見出した。(2)ダイヤモンド半導体を用いた強磁性ショットキー接合を作製し、障壁高さが強磁性体の仕事関数の選択により制御可能である事を示した。(3)強磁性Ni/高濃度ホウ素ドープダイヤモンド半導体を用いた3端子測定から、スピン注入に由来の信号を得た(τ=～20ps)。
【研究代表者】

植田研二名古屋大学工学研究科准教授 (Kakenデータベース)
【研究種目】若手研究(B)
【研究期間】2010 - 2011
【配分額】4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)

高スピン分極強磁性材料の探索とそのデバイス適合性の検討

【研究分野】構造・機能材料

【研究領域課題番号】22246091 (KAKENデータベースで見る）

【研究キーワード】

磁性材料 / スピントロニクス / ハーフメタル / ホイスラー合金 / スピン分極率 / CPP-GMR / 巨大磁気抵抗

【研究成果の概要】

高いスピン分極を示す強磁性材料の探索を点接触アンドレーフ反射法(PCAR)によるスピン分極率の直接測定により行った。Co2Fe(Z,Z')系ならびにCo2Mn(Z,Z')系４元系ホイスラー合金を中心に探索し、伝導電子分極率PPCAR>0.7 でスクリーニングされた材料で良質の薄膜を作製し、薄膜の熱処理に伴うB2, L21規則化とスピン分極率の相関を調査し、新材料のスピントロニクス応用という観点からの適合性を検討した。新規探索されたホイスラー合金と種々のスペーサー層を用いて面直電流巨大磁気抵抗素子(CPP-GMR)を試作し、磁気抵抗出力の大幅な向上に成功し、再生ヘッド応用の可能性を検討した。

【研究代表者】

宝野和博独立行政法人物質・材料研究機構磁性材料ユニットフェロー (Kakenデータベース)

【研究種目】基盤研究(A)

【研究期間】2010-04-01 - 2014-03-31

【配分額】49,920千円 (直接経費: 38,400千円、間接経費: 11,520千円)

【研究分担者】
高橋有紀子	独立行政法人物質・材料研究機構	磁性材料ユニット	主幹研究員	(Kakenデータベース)
林将光	独立行政法人物質・材料研究機構	磁性材料ユニット	主任研究員	(Kakenデータベース)
ラジャニカンスアマナブロル	独立行政法人物質・材料研究機構	磁性材料センター	NIMSポスドク研究員	(Kakenデータベース)

【研究連携者】
三谷誠司	独立行政法人物質・材料研究機構	磁性材料ユニット	グループリーダー	(Kakenデータベース)
葛西伸哉	独立行政法人物質・材料研究機構	磁性材料ユニット	主任研究員	(Kakenデータベース)