エピタキシャルフェライトヘテロ構造の創製とスピン機能デバイスへの応用
【研究分野】電子・電気材料工学
【研究キーワード】
電子材料 / 結晶成長 / 磁性材料 / 電子デバイス / スピントロニクス / スピンエレクトロニクス / 電子・電気材料 / 電子デバイス・機器 / 表面・界面物性
【研究成果の概要】
スピン自由度を利用したスピン電界効果型トランジスタの特性を最大限に発揮するための要素技術として、ハーフメタル特性をもつニッケルフェライト、コバルトフェライトに着目して、これらの薄膜の作製法を確立すると共に超薄膜における物性を明らかとした。 1つの研究項目として、シリコン基板上に良好な特性をもつニッケルフェライト薄膜を作製して、良好な物性とSiOxを形成しない作製条件を見出した。また、コバルトフェライトの磁気特性と構造との相関関係を明らかとして、デバイスに必要な特性を有する膜厚条件を見出した。
【研究代表者】
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2014-04-01 - 2017-03-31
【配分額】16,640千円 (直接経費: 12,800千円、間接経費: 3,840千円)