触媒金属蒸気を利用したh-BN上へのグラフェンのCVD直接成長
【研究分野】金属・資源生産工学
【研究キーワード】
グラフェン / 2次元材料 / ファンでアワールスヘテロ / CVD / 直接成長 / h-BN / ヘテロ構造 / CVD成長
【研究成果の概要】
次世代半導体チャネル材料として期待される2層グラフェンのギャップ形成には，原子レベルで平坦なh-BNとの複層化が重要である．触媒機能としてCu蒸気を外部から導入し，h-BN上へのグラフェン直接成長を試みた．しかしながら，金属触媒を色々検討したもののグラフェンの成長は困難であった．そこで，グラフェンと異なりバンドギャップを有する2次元結晶であるMoS2のCVD成長を試みた．SiO2/Si基板上に3角形状の単層MoS2の形成に成功した．また，2次元結晶の機械的なヘテロ構造作成手法を検討した．レンズ形状のPDMS/PMMAを用いて，温度を詳細に制御することで複層化が可能であることがわかった．
【研究代表者】
【研究種目】挑戦的萌芽研究
【研究期間】2016-04-01 - 2018-03-31
【配分額】3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)