半導体ヘテロ構造中の量子準位間遷移とテラヘルツ共振器輻射場の超強結合の物理と応用
【研究分野】マイクロ・ナノデバイス
【研究キーワード】
半導体超格子 / 量子ドット / テラヘルツ / 半導体量子構造 / 超格子 / 単一電子トランジスタ / 量子効果 / 微小共振器 / サブバンド間遷移 / ブロッホ振動
【研究成果の概要】
我々は、半導体量子構造を強いテラヘルツ電磁場の中に置き、その量子伝導を制御することを目的として研究を行った。主な成果は以下の通りである;1)半導体超格子に強いテラヘルツ電磁波を照射することにより、高電界ドメインの発生を抑制することに成功した。2)量子ドットにナノギャップ電極を形成することにより、量子ドットとテラヘルツ電磁波の強い結合を実現し、テラヘルツ光子支援トンネル効果により単一電子の伝導を制御することに成功した。
【研究代表者】
【研究連携者】 |
荒川 泰彦 | 東京大学 | 生産技術研究所 | 教授 | (Kakenデータベース) |
岩本 敏 | 東京大学 | 生産技術研究所 | 准教授 | (Kakenデータベース) |
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【研究種目】基盤研究(A)
【研究期間】2010 - 2012
【配分額】47,580千円 (直接経費: 36,600千円、間接経費: 10,980千円)