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MBE法を用いてグラフェン上にAlNを成長した。そして、成長温度を低下させることにより、AlN表面の平坦性が向上し、グラフェン表面由来のステップを観測することができた。また、低温でAlNを成長させることによって、電子の移動度の低下とシート電子濃度の上昇をある程度抑制できた。
次に、800 ℃においてグラフェン表面に窒素プラズマを照射した。そして、高温で窒素プラズマをグラフェンに照射することによって、グラフェンがダメージを受け、グラフェンの構造が破壊されていることを明らかにした。
さらに、グラフェン上にBNを低温で成長した。そして、電子の移動度の低下とシート電子濃度の上昇をある程度抑制できた。

【研究分担者】
堀越佳治	早稲田大学	理工学術院	名誉教授	(Kakenデータベース)
藤田実樹	一関工業高等専門学校	その他部局等	准教授	(Kakenデータベース)
日比野浩樹	日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所	機能物質科学研究部	部長	(Kakenデータベース)
前田文彦	日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所	機能物質科学研究部	主幹研究員	(Kakenデータベース)
関根佳明	日本電信電話株式会社NTT物性科学基礎研究所	機能物質科学研究部	研究主任	(Kakenデータベース)