相変化マスクを用いた近赤外半導体ナノイメージング分光法と量子状態制御法の開発
【研究分野】電子・電気材料工学
【研究キーワード】
量子ドット / 相変化材料 / 近接場光学 / 応力光学 / 近赤外分光 / ナノ分光
【研究成果の概要】
光通信デバイス・材料の高分解能顕微分光法として、相変化マスクを用いたナノイメージング分光法の提案と実証を行った。相変化材料(GeSbTe)が有するアモルファス相・結晶相間の高い光学コントラストと近赤外域での高い透過率を最大限に活用し、100~200nmの空間分解能と波長1500nm近傍での定損失な信号集光を実現した。また、GeSbTeのアモルファス化は大きな体積変化をともない、量子ドットへの応力印加源としても利用できることを実証した。応力印加位置や印加量の適切な制御により、量子ドットのエネルギー準位を精密に調整可能であることを示し、シミュレーションとも良く一致していることを確認した。
【研究代表者】
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2011-04-01 - 2014-03-31
【配分額】19,110千円 (直接経費: 14,700千円、間接経費: 4,410千円)