フラーレン・GaAsヘテロ構造の結晶成長とその応用
【研究分野】電子・電気材料工学
【研究キーワード】
フラーレン / GaAs / MBE / MEE / RHEED / 量子ドット / 電気・電子材料 / 薄膜・量子材料 / ナノ表面界面 / 有機半導体デバイス
【研究成果の概要】
フラーレンC_<60>のMBE法によるエピタキシャル成長およびC_<60>を添加したGaAs、AlGaAsの物性について研究を進めた。C_<60>と基板結晶の格子不整合は大きいが,得られた結晶は極めて良く、C_<60>/GaAsヘテロ界面のRHEED振動観察によって、C_<60>成長初期層が基板表面再構成とC_<60>分子の立体構造で決まることを発見した。低温MEE法を用いてC_<60>-doped GaAsを作製した。C_<60>分子は分解されずに添加され,深い電子トラップとして機能することがわかった。この電子トラップは電界を印加すると電子を放出し,AlGaAs中でも同様に機能することがわかった。
【研究代表者】
【研究連携者】 |
堀越 佳治 | 早稲田大学 | 理工学術院 | 教授 | (Kakenデータベース) |
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【研究種目】若手研究(B)
【研究期間】2008 - 2010
【配分額】4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)