多機能融合・省電力エレクトロニクスのためのSn系Ⅳ族半導体の工学基盤構築
【研究分野】薄膜・表面界面物性
【研究キーワード】
半導体物性 / 結晶工学 / 表面・界面物性 / ゲルマニウム錫 / エネルギーバンド / 結晶成長 / 集積回路 / Ⅳ族半導体 / IV族半導体
【研究成果の概要】
本研究においては、次世代エレクトロニクスへの活用が期待されるトンネル電界効果トランジスタや光電融合多機能デバイスへの応用に向けて、ゲルマニウム錫(GeSn)やゲルマニウムシリコン錫(GeSiSn)など、新しいSn系Ⅳ族混晶薄膜の結晶成長および電子物性制御技術を開発した。結晶薄膜および様々な界面物性やエネルギーバンド構造の制御技術、材料・プロセス技術を開拓し、省電力トランジスタや多機能集積電子・光電子デバイスの実現に資するSn系IV族混晶半導体の工学基盤を構築した。
【研究の社会的意義】
これまで未開拓であった新規Sn系IV族混晶半導体の結晶成長の学術を構築するとともに、エレクトロニクス応用上重要な様々な界面制御、プロセス技術の研究開発を推進し、新世代の電子・光電子デバイスの進展に資する多数の知見を獲得した。GeSnをはじめとするIV族半導体は次世代の省電力・高速・多機能集積・大容量エレクトロニクスの進歩に貢献できる材料であり、Society 5.0に代表される持続可能な省エネルギー産業や安全・安心な生活環境を実現できる超高度情報ネットワーク社会構築への寄与が期待できる。
【研究代表者】