RF-MBE法によるグラフェン上へのエピタキシャルBN成長
【研究分野】結晶工学
【研究キーワード】
グラフェン / 窒化物半導体 / AlN / BN / 窒素プラズマ / ラマン / ホール / ダメージ / MBE / RFプラズマ / B固体ソース / BGaN / BAlN / XPS
【研究成果の概要】
MBE法を用いてグラフェン上にAlNを成長した。そして、成長温度を低下させることにより、AlN表面の平坦性が向上し、グラフェン表面由来のステップを観測することができた。また、低温でAlNを成長させることによって、電子の移動度の低下とシート電子濃度の上昇をある程度抑制できた。
次に、800 ℃においてグラフェン表面に窒素プラズマを照射した。そして、高温で窒素プラズマをグラフェンに照射することによって、グラフェンがダメージを受け、グラフェンの構造が破壊されていることを明らかにした。
さらに、グラフェン上にBNを低温で成長した。そして、電子の移動度の低下とシート電子濃度の上昇をある程度抑制できた。
【研究代表者】
【研究種目】挑戦的萌芽研究
【研究期間】2014-04-01 - 2017-03-31
【配分額】3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)