ダイヤモンド半導体への高効率スピン注入と低損失スピン輸送
【研究分野】電子デバイス・電子機器
【研究キーワード】
ダイヤモンド / 半導体 / スピン注入 / ダイヤモンド半導体 / スピントランジスタ / スピンデバイス / 強磁性体 / ハーフメタル / スピン輸送 / 電子デバイス・機器 / 電子・電気材料 / スピンエレクトロニクス
【研究成果の概要】
ダイヤモンド半導体への高効率スピン注入と低損失スピン輸送を目指し研究を行った。スピン注入源となる磁性トンネル接合内のトンネルバリアの高品質化とダイヤモンド表面終端条件の最適化によりスピン注入効率の1桁程度の増加に成功した。また新しいスピン注入源として期待されるスピンギャップレス半導体(SGS)Mn2CoAl薄膜の低温結晶成長に成功し、SGSの主要な特性である両極性伝導を初めて観測した。更にスピン注入高効率化の為のダイヤモンド上へのグラフェン層の直接成長に成功すると共に、ダイヤモンド/グラフェン接合が特異な光伝導度変調(光メモリスタ的挙動)を示す事を初めて見出した。
【研究代表者】
【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2016-04-01 - 2019-03-31
【配分額】17,160千円 (直接経費: 13,200千円、間接経費: 3,960千円)