引き上げ法ゲルマニウム単結晶成長における成長時導入欠陥の形成挙動・機構の解明
【研究分野】応用物性・結晶工学
【研究キーワード】
結晶成長 / 結晶評価 / ゲルマニウム / 成長時導入欠陥 / 転位 / 不純物添加 / 析出物 / 欠陥形成機構 / 引き上げ法
【研究成果の概要】
次世代高速電子デバイス材料や宇宙用高効率III-V族太陽電池のボトムセルとして注目されているゲルマニウム(Ge)について、引き上げ(CZ)法による結晶成長における転位や析出物、ボイドを始めとするgrown-in欠陥の形成挙動について検討した。
直径1インチのGe単結晶を成長し、結晶中の欠陥の評価、解析を行った。その結果、従来法では難しかった、ボイド観察に必須な無転位Ge単結晶の成長に成功し、その成長技術を新規に提案した。また、Bの平衡偏析係数が6.2であること、Asを10^<19>cm^<-3>以上の高濃度で添加した際のGeAs析出機構についても明らかにした。
【研究代表者】
【研究連携者】 |
米永 一郎 | 東北大学 | 金属材料研究所 | 教授 | (Kakenデータベース) |
大野 裕 | 東北大学 | 金属材料研究所 | 准教授 | (Kakenデータベース) |
徳本 有紀 | 東北大学 | 金属材料研究所 | 助教 | (Kakenデータベース) |
村尾 優 | 東北大学 | 大学院・理学部 | 修士課程2年 |
伊勢 秀彰 | 東北大学 | 理学部 | 4年 |
大澤 隆亨 | 東北大学 | 理学部 | 4年 |
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【研究種目】若手研究(B)
【研究期間】2008 - 2009
【配分額】4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)