ＩｎＧａＡｓ系量子井戸におけるメゾスコピック・スピン輸送効果の検証
【研究分野】応用物性・結晶工学
【研究キーワード】
スピントロニクス / メゾスコピック物理 / ラシュバ効果 / スピン軌道相互作用 / 半導体量子井戸 / 化合物半導体 / スピンデバイス / スピン物性 / メソスコピック系 / 弱局在 / スピントロにクス / AAS効果 / 半導体スピン物性 / 半導体二重量子井戸 / ドレッセルハウス効果 / 半導体スピントロニクス / III-V化合物半導体 / バンドエンジニアリング / メゾスコピック系
【研究成果の概要】
InP格子整合系InGaAs量子井戸に関して、ゼロ磁場スピン分離項を定量的明らかにした。これまで定量的な解明に至らなかったRashba項の存在を初めて明確に示すとともに、その大きさについても定量的な解明を行った。具体的には、極低温での磁気伝導度に見られる弱反局在効果の理論解析により、Rasha係数αと井戸内電場<Ez>の間の厳密な比例関係を示すことに初めて成功した。また、この系でのDresselhaus項が非常に小さいことも同時に明らかにした。更に、ゲートにより<Ez>が正負に変化するウェハ上に作製したメゾ系ループ配列構造での時間反転量子干渉効果を測定し、半古典理論モデルの有効性を実証した。
【研究代表者】