干渉型過渡反射率測定による電子・フォノン結合量子系のコヒーレント制御
【研究分野】光工学・光量子科学
【研究キーワード】
コヒーレント制御 / 量子コヒーレンス / コヒーレントフォノン / 位相制御パルス / 電子フォノン結合系 / フェムト秒 / 超高速分光 / 半導体
【研究成果の概要】
アト秒精度で位相制御したパルス対を用いた干渉型過渡反射率計測によりGaAs単結晶における、電子フォノン結合系における量子コヒーレンスの計測と制御を行った。90Kにおいてn-GaAs(100)中に電子コヒーレンスが50フェムト秒以上保持されることを明らかにした。観測された電子コヒーレンスの消失と復活の振る舞いは、構築した量子理論モデル計算による計算結果との比較から瞬間的誘導ラマン過程における量子経路干渉であることを見出した。
【研究の社会的意義】
量子コヒーレンスは固体では直ぐに消失することは知られているが、その保持時間の定量的な評価が困難であった。本研究により、アト秒精度で位相制御したパルス対を用いた干渉型過渡反射率計測をバルク固体中で量子コヒーレンスの保持時間の定量的な評価を可能となったことは、量子物理学において学術的な意義が大きいとともに、固体をベースとした量子デバイス開発にも有用な情報を与えるものである。
【研究代表者】
【研究分担者】 |
鹿野 豊 | 慶應義塾大学 | 理工学研究科(矢上) | 特任准教授 | (Kakenデータベース) |
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【研究種目】基盤研究(B)
【研究期間】2017-04-01 - 2020-03-31
【配分額】16,900千円 (直接経費: 13,000千円、間接経費: 3,900千円)