ナノギャップ電極を用いた単一InAs量子ドットの電子状態の解明と素子応用の探索
【研究分野】電子デバイス・電子機器
【研究キーワード】
電子デバイス・集積回路 / 量子ドット / 単一電子トランジスタ / 超伝導 / 強磁性 / テラヘルツ電磁波 / 自己組織化 / インジウム砒素 / フォノン / 近藤効果
【研究成果の概要】
自己形成InAs(インジウム砒素)量子ドットは、先端光学デバイスや量子情報処理への応用が期待されている。本研究では、極微ギャップを有する金属電極により単一の量子ドットにアクセスし、その電子状態の制御と読み出しを電気的に行う技術の開拓と新規物性の解明に従事した。その結果、電子を1個の単位で制御可能な単一電子トランジスタを形成することに成功した。更に、この素子においては、電子スピン相互作用やクーロン相互作用、電極材料の物性(超伝導や強磁性)などを巧みに用いることで、新たな機能を付加することができることを明らかにした。
【研究代表者】
【研究分担者】 |
| 平川 一彦 | 東京大学 | 生産技術研究所 | 教授 | (Kakenデータベース) |
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【研究種目】基盤研究(C)
【研究期間】2007 - 2009
【配分額】4,550千円 (直接経費: 3,500千円、間接経費: 1,050千円)