高品質な新規窒化物半導体ScAlN／GaNヘテロ接合の結晶成長に成功し、その界面に分極誘起される2次元電子ガスの輸送特性を詳細に測定・解析しました。ScAlN／GaNヘテロ界面において、非常に高密度の2次元電子ガスが誘起され、その電子移動度が界面ラフネス散乱によって制限されていることが分かりました。今後、界面ラフネスを改善することで移動度の向上が期待されます。高密度・高移動度の2次元電子ガスを実現することで、次世代高周波通信に用いられるトランジスタの性能向上へ大きく貢献します。東京大学 大学院工学系研究科の前田 拓也 講師、中根 了昌 特任准教授、久...

レアメタル不要で高性能：シリコンとアルミニウムという身近な素材で、プラチナを超える磁気制御性能を実現原子レベルの精密制御がカギ：原子数個分の厚みで素材の構成比を調整することで、性能を最大化次世代メモリーへ直結：低電力・高耐久な次世代メモリー素子などへの応用が期待され、省エネルギー社会の実現に貢献福岡大学の洞口 泰輔 助教（研究当時、慶應義塾大学 理工学部 特任助教）と慶應義塾大学 理工学部の能崎 幸雄 教授、物質・材料研究機構（NIMS）の介川 裕章 グループリーダー、中国科学院大学 カブリ理論科学研究所の松尾 衛 准教授らによる研究グループは、日常...