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研究キーワード:科学技術振興機構における「電気抵抗」 に関係する研究一覧:3件
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発表日:2025年11月12日 この記事は2025年11月26日号以降に掲載されます。
1
酸素が拓く固体電解質の設計原理
~複雑なマルチアニオンガラスにおけるイオン輸送の仕組みを解明~
この記事は2025年11月26日号以降に掲載されます。
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発表日:2025年10月23日
2
p波磁性体と呼ばれる新しいタイプの磁性体を実現
~電流を用いた高効率な磁化制御などへ期待~
理化学研究所(理研) 創発物性科学研究センター トポロジカル量子物質研究ユニットの山田 林介 客員研究員(東京大学 大学院工学系研究科 物理工学専攻 助教)、プリヤ・バラル 客員研究員(東京大学 大学院工学系研究科 附属量子相エレクトロニクス研究センター 客員研究員)、マックス・ヒルシュベルガー ユニットリーダー(東京大学 大学院工学系研究科 物理工学専攻 准教授)、強相関量子伝導研究チームのマックス・バーチ 基礎科学特別研究員(研究当時、現 強相関物性研究グループ 研究員)、十倉 好紀 チームディレクター(東京大学 卓越教授/東京大学 国際高等研究所 東京カレッジ)、創発機能設計研究ユニット...
キーワード:量子計算/高エネルギー/磁気構造/中性子散乱/電荷秩序/反強磁性/反強磁性体/物性理論/量子伝導/J-PARC/異方性/加速器/中性子/スキルミオン/トポロジカル/トポロジカル物質/強相関/磁性体/強磁性/量子デバイス/量子構造/強磁性体/原子配列/電気抵抗/スピン/スピントロニクス/原子力/微細加工/スキル
他の関係分野:情報学数物系科学総合理工工学
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発表日:2025年9月9日
3
強誘電体酸化物の巨大抵抗変化を利用して脳型素子を実現
~強誘電体の電気分極を用いてシナプスの機能を模倣する~
強誘電体酸化物の高品質単結晶薄膜に酸素欠損を導入することにより、巨大な電気抵抗スイッチング現象が発現することを発見。学習・忘却の機能を持つメモリスタ特性を利用した画像認識実験において、極めて高い精度の認識率を実現。次世代AI技術の根幹素子となる高性能ニューロモルフィックチップへの応用に期待。東京大学 大学院工学系研究科の田畑 仁 教授、関 宗俊 准教授、李 海寧 大学院生(研究当時)らの研究グループは、チタン酸鉛(PbTiO3)の高品質単結晶薄膜を用いた新しいメモリスタ素子を開発しました。強誘電体であり不揮発性メモリーへの利用でも知られるPbTiO3...
キーワード:コンピューティング/画像認識/人工知能(AI)/電気分極/酸素欠損/ニューロモルフィック/メモリ/誘電体/チタン/強誘電体/単結晶/電気抵抗/電気伝導/不揮発性メモリ/酸化物/半導体/シナプス/結晶性
他の関係分野:情報学数物系科学工学総合生物農学
科学技術振興機構 研究シーズ