科学技術振興機構 研究シーズ|
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研究キーワード：科学技術振興機構における「エピタキシャル」 に関係する研究一覧：2件
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発表日：2025年10月14日
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キラルイオンゲート技術を世界初実証
～分子対称性によるトポロジカル表面磁性の超省電力制御に成功～
キラルなイオン液体を用いたゲートデバイスでトポロジカル強磁性表面の制御を行い、キラリティに由来するドメインの自発偏極を実証しました。従来のEDLTはキラリティの無い分子を用いて行われてきましたが、本研究ではEDLTにキラルなイオン性分子を用いる「キラルイオンゲート」を世界で初めて提案・実証しました。分子キラリティと磁性の結合をゲートデバイスに取り入れたことにより、省電力スピントロニクス実現に向けた新しい設計指針を与えます。東京大学 生産技術研究所の松岡 秀樹 特任助教と金澤 直也 准教授らの研究グループは、名古屋大学 大学院理学研究科の須田 理行 教...
キーワード：電力制御/コンピューティング/スピン偏極/異常ホール効果/準粒子/対称性/非線形/表面磁性/陽電子/陽電子ビーム/ホール効果/超薄膜/輸送特性/磁場/超伝導/分子構造/イオン液体/キラル/スキルミオン/トポロジカル/電気二重層トランジスタ/生産技術/接合界面/インターカレーション/貴金属/新物質/トランジスタ/強磁性/超格子/電気二重層/力制御/エピタキシャル/エピタキシャル薄膜/電界効果/電子状態/スピン/スピントロニクス/電子ビーム/電磁誘導/カルス/キメラ/スキル/ラット
他の関係分野：情報学数物系科学化学総合理工工学農学
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発表日：2025年9月21日
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ハーフメタル材料の磁化歳差運動を電界で変調
～スピン波を情報担体とする新型デバイスの実現に道～
高性能スピントロニクス材料として有名な強磁性ホイスラー合金の一種であるCo2FeSiと表面弾性波材料として有名な圧電体ニオブ酸リチウム（LiNbO3）からなるエピタキシャルCo2FeSi/LiNbO3界面マルチフェロイク構造を実現。スピン波の長距離伝播が示唆される低磁気摩擦特性（低ダンピング定数）領域で磁化ダイナミクス（磁化の歳差運動）の電界変調に成功。表面弾性波を利用したスピン波の生成技術と本研究技術を融合することで、全電界制御型マグノニクスデバイスの実現につながる成果。大阪大学 大学院基礎工学研究科の山田 晋也 准教授、宇佐見 喬政 助教（研究当...
キーワード：アンテナ/モノのインターネット（IoT）/人工知能（AI）/学際研究/マグノン/磁場/マグノニクス/磁性体/表面弾性波/元素戦略/スピンデバイス/スピン波/ダンピング/トランジスタ/強磁性/エピタキシャル/ニオブ/ハーフメタル/ホイスラー合金/圧電体/コバルト/スピン/スピントロニクス/ダイナミクス/ナノ構造/ニオブ酸リチウム/リチウム/構造制御/弾性波/低消費電力/二酸化炭素/半導体/摩擦特性
他の関係分野：情報学環境学数物系科学総合理工工学