科学技術振興機構 研究シーズ|
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研究キーワード：科学技術振興機構における「不揮発性メモリ」 に関係する研究一覧：2件
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発表日：2025年9月9日
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強誘電体酸化物の巨大抵抗変化を利用して脳型素子を実現
～強誘電体の電気分極を用いてシナプスの機能を模倣する～
強誘電体酸化物の高品質単結晶薄膜に酸素欠損を導入することにより、巨大な電気抵抗スイッチング現象が発現することを発見。学習・忘却の機能を持つメモリスタ特性を利用した画像認識実験において、極めて高い精度の認識率を実現。次世代AI技術の根幹素子となる高性能ニューロモルフィックチップへの応用に期待。東京大学 大学院工学系研究科の田畑 仁 教授、関 宗俊 准教授、李 海寧 大学院生（研究当時）らの研究グループは、チタン酸鉛（PbTiO3）の高品質単結晶薄膜を用いた新しいメモリスタ素子を開発しました。強誘電体であり不揮発性メモリーへの利用でも知られるPbTiO3...
キーワード：コンピューティング/画像認識/人工知能（AI）/電気分極/酸素欠損/ニューロモルフィック/メモリ/誘電体/チタン/強誘電体/単結晶/電気抵抗/電気伝導/不揮発性メモリ/酸化物/半導体/シナプス/結晶性
他の関係分野：情報学数物系科学工学総合生物農学
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発表日：2025年7月31日
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ワイル反強磁性体による交換バイアスの室温制御に成功
～新奇な磁気秩序を活かした機能設計が導く、スピントロニクス技術の新展開～
特徴的な磁気秩序を持つ反強磁性体と強磁性体の接合界面で磁気結合を確認。従来必要とされた「磁場をかけながら冷却する操作」を行わず、室温・等温条件で交換バイアス効果を制御できることを実証。室温で動作する反強磁性体の新たな電子機能の開拓により、次世代スピントロニクスデバイスへの応用が期待される。東京大学 大学院理学系研究科の朝倉 海寛 大学院生、肥後 友也 特任准教授（研究当時）、中辻 知 教授らによる研究グループは、ワイル反強磁性体Mn3Snと強磁性体との接合界面において、磁気的な結合に由来した交換バイ...
キーワード：インターフェース/トポロジー/磁気秩序/磁気抵抗/反強磁性/反強磁性体/磁場/トポロジカル/トポロジカル物質/磁性体/接合界面/MRAM/メモリ/強磁性/半金属/量子エレクトロニクス/強磁性体/不揮発性メモリ/AFM/スピン/スピントロニクス/金属材料/耐久性/低消費電力
他の関係分野：情報学数物系科学総合理工工学