キラルなイオン液体を用いたゲートデバイスでトポロジカル強磁性表面の制御を行い、キラリティに由来するドメインの自発偏極を実証しました。従来のEDLTはキラリティの無い分子を用いて行われてきましたが、本研究ではEDLTにキラルなイオン性分子を用いる「キラルイオンゲート」を世界で初めて提案・実証しました。分子キラリティと磁性の結合をゲートデバイスに取り入れたことにより、省電力スピントロニクス実現に向けた新しい設計指針を与えます。東京大学 生産技術研究所の松岡 秀樹 特任助教と金澤 直也 准教授らの研究グループは、名古屋大学 大学院理学研究科の須田 理行 教...

高性能スピントロニクス材料として有名な強磁性ホイスラー合金の一種であるCo2FeSiと表面弾性波材料として有名な圧電体ニオブ酸リチウム（LiNbO3）からなるエピタキシャルCo2FeSi/LiNbO3界面マルチフェロイク構造を実現。スピン波の長距離伝播が示唆される低磁気摩擦特性（低ダンピング定数）領域で磁化ダイナミクス（磁化の歳差運動）の電界変調に成功。表面弾性波を利用したスピン波の生成技術と本研究技術を融合することで、全電界制御型マグノニクスデバイスの実現につながる成果。大阪大学 大学院基礎工学研究科の山田 晋也 准教授、宇佐見 喬政 助教（研究当...

独自に開発した単一の分子半導体材料において、従来は実現できなかったキャリア特異的輸送異方性（正孔と電子がそれぞれ異なる方向に流れやすい性質）を実証。この性質の違いが、電荷輸送を担う分子軌道の相互作用の仕方の違いに起因することを解明。電荷の種類に応じて輸送特性を自在に制御できる高機能分子半導体の設計に道を開き、単一材料でキャリアごとの流路方向を調節可能とすることで、次世代電子デバイス開発の加速に貢献。東京大学 大学院新領域創成科学研究科の伊藤 雅聡 大学院生（研究当時）、同大学 物性研究所の藤野 智子 助教（研究当時、現：物性研究所 リサーチフェロー、...

JST（理事長 橋本 和仁）は、文部科学省および経済産業省が策定した研究開発計画を受け、次世代エッジAI半導体研究開発事業における研究開発提案募集を2025年8月1日（金）から開始します。本事業は、事業全体を統括するプログラムディレクター（PD）の下、アカデミアのシーズを活用した、従来では達成困難な超低消費電力など革新的な次世代エッジAI半導体の実現に貢献する研究開発を推進します。研究開発提案は募集対象となるテーマごとに、プログラムオフィサー（PO）がアドバイザー（AD）らの協力を得ながら選考します。PD：黒田 忠広（東京大学 特別教授室 特別教授／熊本県立大学 ...

高品質な新規窒化物半導体ScAlN／GaNヘテロ接合の結晶成長に成功し、その界面に分極誘起される2次元電子ガスの輸送特性を詳細に測定・解析しました。ScAlN／GaNヘテロ界面において、非常に高密度の2次元電子ガスが誘起され、その電子移動度が界面ラフネス散乱によって制限されていることが分かりました。今後、界面ラフネスを改善することで移動度の向上が期待されます。高密度・高移動度の2次元電子ガスを実現することで、次世代高周波通信に用いられるトランジスタの性能向上へ大きく貢献します。東京大学 大学院工学系研究科の前田 拓也 講師、中根 了昌 特任准教授、久...

半導体デバイスの中心的な役割を担うｐ型とｎ型半導体を接合したｐｎ接合界面が発見されて以来約７０年間、ｐｎ接合界面が直接観察されることはなかった。福本氏が開発した半導体中の伝導電子が可視化できる装置を発展させることで、ｐｎ接合界面に形成される電子が空乏化した領域の実空間およびエネルギー空間観測に成功した。この手法は、画像を用いた半導体デバイスの評価を可能にし、あらゆる半導体デバイスに適用できることから、半導体産業の発展に貢献することが期待される。高エネルギー加速器研究機構 物質構造科学研究所に設置されているフェムト秒パルスレーザーを光源とする光電子顕...