科学技術振興機構 研究シーズ|
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研究キーワード：科学技術振興機構における「電子物性」 に関係する研究一覧：2件
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発表日：2025年9月17日
1
強磁性材料における面内異常ホール効果の発見
軌道磁化とスピン磁化の非対角結合を実証～
面内方向に磁化を持つ強磁性材料において異常ホール効果を観測軌道磁化とスピン磁化の非対角的な結合が本質的に重要であることを実証軌道磁化が開く新たな物性科学と応用技術の可能性に期待東京科学大学（Science Tokyo） 理学院 物理学系の打田 正輝 准教授の研究グループは、同大学 理学院 物理学系の石塚 大晃 准教授の研究グループ、および東京大学 大学院理学系研究科 有田 亮太郎 教授（兼：理化学研究所 創発物性科学研究センター チームディレクター）の研究グループと共同で、面内方向に磁化を持つ強磁性材料における異常ホール効果の観測に成功しました。...
キーワード：バンド構造/ルテニウム酸化物/異常ホール効果/ストロンチウム/ホール効果/磁場/電子物性/強磁性/電子デバイス/磁性材料/スピン/センサー/酸化物/ルテニウム
他の関係分野：数物系科学工学
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発表日：2025年9月3日
2
非磁性材料における異常ホール効果の観測
スピン磁化がなくても電子は曲がる～
通常の磁化を持たない非磁性材料において異常ホール効果を初めて観測特定の非磁性材料では極めて大きな異常ホール効果が現れることを定量的に実証軌道磁化に基づく電子物性の開拓や次世代デバイスへの応用研究に期待東京科学大学（Science Tokyo） 理学院 物理学系の打田 正輝 准教授の研究グループは、同 石塚 大晃 准教授の研究グループと共同で、通常の磁化を持たない非磁性材料における異常ホール効果の観測に初めて成功しました。ホール効果は、磁場や磁化に垂直な面内で電子の進む向きが曲げられる現象として、電子物性の理解やデバイス応用の基礎を支えてきま...
キーワード：ディラック半金属/異常ホール効果/対称性/ホール効果/磁場/トポロジカル/トポロジカル物質/電子物性/半金属/エピタキシー/磁性材料/電気伝導/電子構造/スピン/結晶成長
他の関係分野：数物系科学総合理工工学