有機半導体単結晶において、100cm2V-1s-1を超えるキャリア移動度の実現に成功しました。有機半導体分子の熱振動を抑制することで高移動度が実現できることを見いだしました。分子構造の最適化によりさらなる高移動度の実現と、高性能電子デバイス・量子エレクトロニクスなどへの展開が期待されます。東京大学 大学院新領域創成科学研究科の竹谷 純一 教授、古川 友貴 大学院生、髙柳 英明 特任教授らの研究グループは、有機半導体単結晶において、100cm2V-1s-1（100平方センチメートル パー ボルト秒）を超えるキャリア移動度の実測に世界で初めて成功しました...

高品質な新規窒化物半導体ScAlN／GaNヘテロ接合の結晶成長に成功し、その界面に分極誘起される2次元電子ガスの輸送特性を詳細に測定・解析しました。ScAlN／GaNヘテロ界面において、非常に高密度の2次元電子ガスが誘起され、その電子移動度が界面ラフネス散乱によって制限されていることが分かりました。今後、界面ラフネスを改善することで移動度の向上が期待されます。高密度・高移動度の2次元電子ガスを実現することで、次世代高周波通信に用いられるトランジスタの性能向上へ大きく貢献します。東京大学 大学院工学系研究科の前田 拓也 講師、中根 了昌 特任准教授、久...