次世代の無線通信技術の6GやBeyond 7Gでは、固体内の原子や格子の振動などフォノンの効果を考慮する必要があり、その研究は非常に重要です。本研究グループは、希薄窒化ガリウムひ素（GaAs1-xNx）化合物半導体に、フェムト秒（fs = 1×10-12 ms）のレーザーパルス光を照射して発生した、コヒーレント縦光学（LO）フォノン※1によるテラヘルツ帯(1 THz=1000 GHz)の電磁波の波形を、時間の関数として記録しました。その結果、GaA...