熊本大学半導体・デジタル研究教育機構の佐藤幸生教授の研究グループは、名古屋大学未来材料・システム研究所/国際高等研究機構の永沼博特任教授と共同で、ビスマスフェライト（BiFeO3）の薄膜中に従来知られていなかった新しい結晶相が存在していることを発見したと報告しました。ビスマスフェライトは電気と磁気の性質を併せ持つ「マルチフェロイクス材料」として知られ、低消費電力メモリデバイスや超高感度磁気センサなど多用途に応用可能な先端材料です。その原子配列を特徴づける「結晶相」は基板材料の選択や薄膜の作製条件で変わることが知られており、電気的・磁気的な性質は結晶相に強く依存するとされ...

ほとんど全ての半導体デバイスには、電流のON/OFF制御のためにpn接合※1が搭載されている。半導体pn接合を用いたスピントロニクスデバイス構造では「室温」での実証例はない。本研究では、次世代半導体であるゲルマニウム（Ge）のpn接合を有するスピントロニクスデバイス構造において、室温でスピン伝導を観測することに成功。優れたON/OFF特性を有する半導体スピントロニクスデバイスの要素技術を構築。【概要説明】大阪大学大学院基礎工学研究科の大木健司さん（博士後期課...