rGO表面にグラフェンアイランドが結晶成長することを明らかにしました。rGO表面におけるグラフェンアイランドの結晶成長は、螺旋成長と層状成長の2つの成長モードが存在することを明らかにしました。グラフェンアイランドの結晶成長により、rGO薄膜に365cm2/V·sのHall移動度を実現しました。結晶成長したグラフェンの層は、テンプレートであるrGOの表面より高い結晶性・電気伝導特性を有することを示唆する結果が得られました。　東洋大学理工学部電気電子情報工学科根岸良太教授、岡山大学学術研究院先鋭研究領域（異分野基礎化学研究所）仁科勇太教授らの研究グループは、...

二次元半導体材料の遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC：Transition Metal Dichalcogenide）の結晶成長過程をリアルタイムで観測することに成功しました。二枚の基板の積層により構築したマイクロリアクタの閉じ込め空間におけるTMDC結晶の気相-液相-固相（VLS：Vapor-Liquid-Solid）成長において、さまざまな成長モードを明らかにしました。この研究により次世代半導体材料の高品質化と電子デバイス応用につながることが期待されます。　岡山大学大学院環境生命自然科学研究科博士前期課程2年の千田祐太朗大学院生と学術研究院環境生命自然科学...

研究グループ独自のユニークな手法により、半導体材料の遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）のデンドライトと呼ばれるナノスケールのネットワーク構造の合成に成功しました。単層TMDCと成長基板の界面を化学反応場とするナノリアクタを用いることで、ナノスケールのデンドライト構造の合成に成功しました。この手法の開発により、従来の貴金属フリーの水素発生触媒の発展に大きく寄与します。　学術研究院環境生命自然科学学域の鈴木弘朗研究准教授と名古屋工業大学物理工学類の平田海斗助教、名古屋大学大学院工学研究科・金沢大学ナノ生命科学研究所（WPI-NanoLSI）の高橋康史教授、名古屋...