8月1日、本学総合技術部主催の「放射光利用連携Workshop～放射光を利用してみませんか～」を本学津島キャンパスの創立五十周年記念館での現地開催とオンラインでのハイブリッド形式で開催しました。本学の研究者以外に全国から大学・研究機関や企業などから106人が参加しました。　本Workshopは、大型放射光施設「SPring-8」や公益財団...

三次元LSIなどの最先端半導体開発に貢献する、新しい分析手法を開発。半導体PN接合の光励起による電子の動きとテラヘルツ波放射の関係を説明する単純化モデルを提案。シリコン（Si）ウェハ内部に浅く形成されたPN接合の深さを、簡単に非破壊・非接触で、ナノメートル精度で、推定できることを実証。　岡山大学、ライス大学、サムスン電子、日本サムスンによる国際研究グループは、シリコンウェハに埋め込まれたPN接合にフェムト秒レーザーを照射して生成されるテラヘルツ波を観察することで、非破壊かつ非接触で、簡単にウェハ内のPN接合の深さを推定する分析技術を、6月20日午後3時（日本時間...

本学総合技術部は1月27、28日、総合技術部技術職員の高度専門人材の養成や国立大学と企業の産学連携強化等に向けて、TCカレッジ医工系コース上級カリキュラム「走査型・透過型電子顕微鏡（応用）」を株式会社日立ハイテク那珂地区（茨...