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研究キーワード:大阪大学における「絶縁体」 に関係する研究一覧:4件
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発表日:2026年2月3日
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\電極なしで半導体薄膜の電気的特性を測定/ 光の反射係数の再定式化で半導体薄膜の性能を瞬時に評価
テラヘルツ波で次世代半導体デバイス開発を加速させる解析技術
大阪大学大学院基礎工学研究科の大学院生・岡本章宏さん(博士前期課程)、永井正也准教授、芦田昌明教授らの研究グループは、日邦プレシジョン(株)との共同研究により、半導体薄膜の電気的特性を非接触・非破壊で評価できる新しい光学的解析モデルを世界で初めて提案しました。このモデルは、光の反射を記述するフレネル係数を電磁気学の基本原理から再考し、波長よりも十分薄い薄膜内の多重反射光を界面電流として取り扱うことで、反射係数から導電薄膜の面伝導度を直接導き出す簡便な式を導いたものです。従来の方法では、電極を形成する工程が必要であり、材料の損傷や汚染のリスクがありましたが、この新しい手法は、従来必要だっ...
キーワード:トポロジカル絶縁体/物質科学/ホール効果/超薄膜/スペクトル/テラヘルツ/磁場/数値計算/二次元材料/量子ビット/テラヘルツ電磁波/トポロジカル/GaN/キャリア/テラヘルツ波/フォトニクス/絶縁体/電子デバイス/半導体デバイス/誘電率/持続可能/ボトルネック/持続可能な開発/SiC/インタラクティブ/インバータ/シリコン/移動度/解析モデル/境界条件/周波数/多層膜/電磁波/半導体/非接触/機能材料/層構造/SPECT/評価法
他の関係分野:数物系科学総合理工工学農学
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発表日:2025年9月30日
2
高い光学異方性を備えた極細幅の無機ナノリボンを実現
絶縁性のナノ空間を反応場とした精密合成
東京大学大学院新領域創成科学研究科の中西勇介准教授、東京都立大学大学院理学研究科の田中拓実大学院生(研究当時)、古澤慎平大学院生(研究当時)、遠藤尚彦大学院生、名古屋大学大学院理学研究科の相崎元希大学院生(研究当時)、産業技術総合研究所材料・化学領域材料基盤研究部門の佐藤雄太研究グループ長、千賀亮典主任研究員、大阪大学産業科学研究所の末永和知教授、物質・材料研究機構ナノアーキテクトニクス材料研究センターの宮田耕充グループリーダーらの研究チームは、絶縁体かつ熱的・化学的に安定な窒化ホウ素(BN)ナノチューブを反応場として利用し、数ナノメートル(10億分の1メートル)幅の二硫化モリブデン(MoS₂...
キーワード:光検出器/対称性/二次元物質/テクトニクス/ラマンスペクトル/異方性/輸送特性/スペクトル/検出器/モリブデン/反応場/カルコゲナイド/ナノ物質/ラマン/気相反応/遷移金属/テンプレート/トランジスタ/リソグラフィー/可視光/絶縁体/遷移金属ダイカルコゲナイド/層状物質/電子デバイス/二硫化モリブデン/TMD/構造モデル/原子配列/電子構造/カーボン/カーボンナノチューブ/グラフェン/シリコン/センサー/ナノスケール/ナノメートル/ナノ空間/ひずみ/結晶方位/構造制御/電子顕微鏡/熱処理/半導体/ナノチューブ/ホウ素/層構造/ラマン分光
他の関係分野:数物系科学化学総合理工工学総合生物農学
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発表日:2025年5月13日
3
絶縁体の正体を暴く!
甲南大学理工学部物理学科 山﨑篤志教授の研究グループは、大阪公立大学大学院工学研究科 播木敦准教授、大阪大学大学院基礎工学研究科 関山明教授、同大学 藤原秀紀助教、理化学研究所 放射光科学研究センター 玉作賢治チームリーダー、同研究所 濱本諭特別研究員、立命館大学 今田真教授、摂南大学 東谷篤志教授、日本大学 高瀬浩一教授、マサリク大学 Jan Kuneš教授などとの共同研究で、大型放射光施設SPring-8のビームラインBL19LXUにて...
キーワード:コンピューティング/イリジウム酸化物/バンド構造/モット絶縁体/強い相互作用/光電子分光/磁気秩序/遷移金属酸化物/反強磁性/量子情報/量子情報処理/SPring-8/放射光/スペクトル/光電子スペクトル/光電子分光法/電子分光/イリジウム/遷移金属/メモリ/強磁性/絶縁体/電子デバイス/持続可能/省エネ/量子コンピューティング/電気伝導/電子構造/シミュレーション/スピン/スピントロニクス/機能性材料/金属酸化物/酸化物/低消費電力/量子ビーム/機能性/SPECT
他の関係分野:情報学数物系科学化学工学農学
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発表日:2025年3月27日
4
半導体と金属界面の接触抵抗の評価手法を一新
次世代半導体デバイスの利用環境に適応する界面材料の発見に期待
京都工芸繊維大学 菅原 徹 教授(兼:大阪大学産業科学研究所 招へい教授)らの研究グループは、大阪大学産業科学研究所、トリノ工科大学らと協力し、異なる材料間の界面での接触抵抗を直接比較できる界面物性評価手法を開発し、半導体デバイスの利用条件に適した界面材料を提案できることを明らかにしました。これまで半導体/金属界面の接触抵抗は、伝送長法(Transfer Length Method: TLM)を用いて測定されてきました。しかしながら、TLMは、測定サンプル(デバイス)に使用する半導体の厚みを考慮しておらず、半導体や金属、サイズなどの条件が異なるサンプル間で接触抵抗を直接比較し、評価する...
キーワード:サンプルサイズ/情報学/産学連携/界面物性/絶縁体/電子デバイス/半導体デバイス/半導体材料/温度依存性/材料特性/評価手法/チタン/電気抵抗/化合物半導体/金属材料/半導体/エネルギー変換/スマートフォン
他の関係分野:情報学複合領域工学農学
大阪大学 研究シーズ