電気電子工学系 三浦良雄 教授らの共同研究チームは、サファイア基板上に結晶の向きをそろえた単一配向（単一バリアント）RuO₂薄膜を作製し、基板選択と成長条件の最適化によって配向が決まる仕組みを明らかにしました。X線磁気線二色性で全体の磁化（N極－S極）が打ち消される磁気秩序とスピン配列の向きを特定し、さらにスピンの向きで電気抵抗が変わる現象（スピン分裂磁気抵抗）を観測して、スピン向きによる電子状態の違いを電気的に確認しました。これらの結果は第一原理計算とも整合し、総合してRuO₂薄膜が交代磁性(1)体であることを実証しました［図1］。本成果は、RuO₂薄膜が高速・高密度な...