電気電子デジタル理工学専攻 金子光顕 准教授、柴田峻弥 修士課程学生（研究当時）、木本恒暢 教授らの研究グループは、極限的な高温環境で動作する集積回路の実現を目指して、シリコンカーバイド（炭化ケイ素、SiC）を用いた新しいトランジスタ構造を開発し、摂氏600度での動作を実証しました。 現在広く使われているシリコン集積回路は、およそ摂氏250度を超えると正常に動作できません。このためジェットエンジンの内部や、金星の表面（およそ460度）といった環境では、動作が不可能でした。SiCは高温で動作できる次世代半導体として長年研究されてきましたが、イオン注入により作製したSiC接合型トランジ...