近年の高度情報化社会では、情報を保存するメモリデバイスの低消費電力化や高速化・小型化が大きな課題となっています。こうした課題を解決する次世代メモリのひとつとして、物質内部の電気の偏り（分極）を利用する強誘電体メモリの開発が進められています。中でも、従来材料と比べて飛躍的に薄い膜厚でも分極を安定して保持できる蛍石型強誘電体が注目されています。　しかし、この蛍石型強誘電体では、情報の保存や読み書きの根幹を担う分極反転（スイッチング）がどのような過程を経て進行しているのか、また構成する元素によってどのように分極の振る舞...

小野輝男 化学研究所教授、川名梨央 岐阜大学修士課程学生、大口奈都子 同修士課程学生（研究当時）、山田啓介 同准教授、吉田道之 同助教、杉浦隆 同教授、嶋睦宏 同教授、大島大輝 名古屋大学助教、加藤剛志 同教授、齋藤美紀子 早稲田大学招聘研究員、本間敬之 同教授の研究グループは、層厚を制御した多層構造をもつ人工強磁性細線の作製に、二浴電析（電気めっき）法と細孔ナノテンプレートを用いて成功しました。層厚は数100 nmから最小で約3.5 nmの多層構造を有する人工強磁性細線が作製できました。さらに本グループでは、1本の人工強磁性細線の磁気抵抗を測定し、人工強磁性細線の層厚が薄くなるほど、磁気抵抗...