名古屋大学 研究シーズ|
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研究キーワード：名古屋大学における「熱伝導率」 に関係する研究一覧：3件
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発表日：2026年4月8日
この記事は2026年4月22日号以降に掲載されます。
1
ガラスにならない酸化アルミニウムを透明な非晶質の塊に
〜5配位ピラミッドと6配位八面体からなる超高密度構造と結晶を超える誘電率を高圧力で実現〜
この記事は2026年4月22日号以降に掲載されます。
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発表日：2026年4月7日
2
体温から電気を取り出す、世界最高性能の有機熱電材料を実現
充電不要な人体装着型センサー用電源素子の普及へ前進
・フラーレン分子と三酸化モリブデンナノクラスターから成る新奇ナノ複合体を創製。・巨大熱電効果を利用することで、導電率σに対して熱伝導率κが増加しない低σ領域でパワーファクター注1）を最大化することに成功。・有機熱電材料としては世界最高の性能指数zT = 0.81を実現。 名古屋大学大学院工学研究科の中谷 真人 准教授、尾上 順 教授らの研究グループは、名古屋大学未来材料・システム研究所の小川 智史 准教授および電...
キーワード：熱電効果/ナノクラスター/モリブデン/トレードオフ/ナノ複合体/環境発電/熱電素子/複合化/電気伝導/導電率/熱電材料/熱電変換/センサー/金属酸化物/酸化物/電気伝導率/熱伝導/熱伝導率/フラーレン
他の関係分野：数物系科学化学生物学工学
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発表日：2025年12月9日
3
AlN基板上AlN/GaN/AlN 薄膜トランジスタで高耐圧・低抵抗・電流不安定性解消を実証
～通信・レーダー向け高周波デバイスの性能向上に期待～
・量産性に優れたMOVPE注１）法により、窒化アルミニウム（AlN）基板上にコヒーレント成長注2）させたAlN/GaN/AlN 高電子移動度トランジスタ(HEMT) 注３） を実現。・従来のGaN HEMTと比べ、同等水準の抵抗値を実現しつつ、2倍以上の耐圧性能を達成。・従来のGaN HEMTで課題だった電流コラプス注4）を抑え、安定動作を実現。・Crystal ISの高品質AlN単結晶基板、旭化成と名古屋大学により開発した革新的結晶成長技術、そして名古屋大学 エネルギー...
キーワード：ミリ波/先端技術/産学連携/結晶格子/コヒーレント/高周波/アンモニア/電子移動/有機金属/GaN/MOVPE/イメージセンサー/デバイスプロセス/トランジスタ/パワーデバイス/バンドギャップ/高電圧/窒化ガリウム/電子デバイス/薄膜トランジスタ/半導体デバイス/半導体材料/発光ダイオード（LED）/ドーピング/単結晶/SiC/アルミニウム/シリコン/センサー/トラップ/マイクロ/マイクロ波/移動度/化合物半導体/結晶成長/周波数/集積回路/窒化アルミニウム/熱伝導/熱伝導率/半導体/エネルギー変換/結晶構造
他の関係分野：情報学複合領域数物系科学化学総合理工工学農学