名古屋大学 研究シーズ|
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研究キーワード：名古屋大学における「周波数」 に関係する研究一覧：2件
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発表日：2026年5月11日
1
コイルなしで発振する電子回路を実現
－巨大インダクタンスを分子材料で発見－
理化学研究所（理研）開拓研究所上野核分光研究室の大島勇吾専任研究員、名古屋大学大学院工学研究科の竹延大志教授、東北大学大学院理学研究科の高石慎也准教授らの共同研究グループは、分子性物質[1]に基づくメモリスタ[2]においてコイルを用いずに発振する電子回路を発見しました。本研究により、従来はコイル[3]によって実現されてきたインダクター[3]機能を、物質の内部ダイナミクスによって代替できることが示され、コイル不要の発振回路が可能となりました。これにより、低周波回路設計の自由度向上や小型・集積化への...
キーワード：モット絶縁体/電子相関/非線形/分子性物質/ニューロモルフィック/メモリ/絶縁体/電子デバイス/電子回路/電気抵抗/電気伝導/ヒステリシス/インピーダンス/ダイナミクス/周波数/低消費電力/半導体/機能性/ニューロン/神経回路/神経細胞
他の関係分野：数物系科学工学農学
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発表日：2025年12月9日
2
AlN基板上AlN/GaN/AlN 薄膜トランジスタで高耐圧・低抵抗・電流不安定性解消を実証
～通信・レーダー向け高周波デバイスの性能向上に期待～
・量産性に優れたMOVPE注１）法により、窒化アルミニウム（AlN）基板上にコヒーレント成長注2）させたAlN/GaN/AlN 高電子移動度トランジスタ(HEMT) 注３） を実現。・従来のGaN HEMTと比べ、同等水準の抵抗値を実現しつつ、2倍以上の耐圧性能を達成。・従来のGaN HEMTで課題だった電流コラプス注4）を抑え、安定動作を実現。・Crystal ISの高品質AlN単結晶基板、旭化成と名古屋大学により開発した革新的結晶成長技術、そして名古屋大学 エネルギー...
キーワード：ミリ波/先端技術/産学連携/結晶格子/コヒーレント/高周波/アンモニア/電子移動/有機金属/GaN/MOVPE/イメージセンサー/デバイスプロセス/トランジスタ/パワーデバイス/バンドギャップ/高電圧/窒化ガリウム/電子デバイス/薄膜トランジスタ/半導体デバイス/半導体材料/発光ダイオード（LED）/ドーピング/単結晶/SiC/アルミニウム/シリコン/センサー/トラップ/マイクロ/マイクロ波/移動度/化合物半導体/結晶成長/周波数/集積回路/窒化アルミニウム/熱伝導/熱伝導率/半導体/エネルギー変換/結晶構造
他の関係分野：情報学複合領域数物系科学化学総合理工工学農学