・厚さ10 nm未満のMg膜を用いた低ダメージ熱処理（ソフトアニール注1））により、薄いp型GaN注2）の表面を平坦なまま保ちながら、表面近傍に高濃度Mgアクセプター層を形成した。・プラズマ加工の有無にかかわらず、（1～3）×10⁻⁴ Ω·cm²の低い比接触抵抗注3）を実現し、薄膜p型GaNに対する高い汎用性を示した。・従来の厚膜Mgアニールで報告されている反応生成相は確認されず、材料品質の維持を確認した。・膜厚50 nmの薄膜p型GaNでも高い...

・走査透過電子顕微鏡（STEM）注1）を用いて、層状ペロブスカイト注2）強誘電体注3）のドメイン構造注4）を原子レベルで直接観察。・ペロブスカイト層の層数nと偶奇性に応じてドメイン構造が本質的に異なることを発見。・n = 4のハイブリッド間接型強誘電体注5）では、中性および帯電したドメイン壁注6）が共存する新しいドメイン構造を発見し、原子レベルで形成機構を解明。・次世代メモリやナノ電子デバイス設計に新たな指針を提示。&...